Ich gebe es zu: KI f¨¹r Unternehmen ist ein spannender Thriller, der zu Recht die Aufmerksamkeit aller auf sich gezogen hat - auch meine. Hier bei ºÚÁÏÍø911 haben wir jedoch eine stille KI-Revolution im Embedded-Bereich beobachtet, die sich auf alle Endm?rkte auswirkt, vom Edge bis zum Endpunkt.

Genau wie die KI f¨¹r Unternehmen erobert auch die eingebettete KI alle Anwendungsbereiche, in denen Entwickler versuchen, KI sinnvoll zu integrieren. Dabei legen sie besonderen Wert auf kurze Latenzzeiten und den Schutz von Daten und Ressourcen ¨C wichtige Verkaufsargumente f¨¹r eingebettete KI ¨C und passen gleichzeitig die Komplexit?t der KI-Modelle so an, dass sie den Anforderungen power, Leistung und Speicherplatz des jeweiligen Anwendungsfalls gerecht werden.

Die Power familien von ºÚÁÏÍø911 sind ein hervorragender Baustein f¨¹r die Entwicklung Ihrer Embedded-AI-Anwendungen der n?chsten Generation.

Am Rande des Netzwerks ben?tigen eingebettete Systeme eine hohe Rechenleistung, um komplexere KI-Modelle ausf¨¹hren zu k?nnen. Unsere 12LP+ FinFET-Plattform ist ideal f¨¹r diese Anwendungen geeignet und bietet erstklassige power Leistung, power und Fl?che (PPA), sodass mehr power einem kleineren Chip mit verbesserter Effizienz untergebracht werden kann.

Da Anwendungen zunehmend nicht mehr am Edge, sondern n?her am Endpunkt oder direkt dort ausgef¨¹hrt werden, steigt der Bedarf an SoCs (System on a Chip), die die Leistung maximieren, ohne dabei power zu beeintr?chtigen. Genau hier setzen unsere Kunden seit langem erfolgreich 22FDX?, unsere vollst?ndig verarmte Silizium-auf-Isolator-Prozesstechnologie (SOI), die Leistung und Energieeffizienz auf FinFET-Niveau in einer planaren Technologie bietet.

Von Smart-Home-Sicherheitssystemen bis hin zu tragbaren Fitness- und medizinischen Ger?ten ¨C unsere 22FDX-Plattform wird erfolgreich in einer Vielzahl von batteriebetriebenen Ger?ten eingesetzt, die st?ndig in Betrieb sind und auf reaktionsschnelle, zuverl?ssige drahtlose Konnektivit?t sowie h?chste power angewiesen sind. Heute setzt ºÚÁÏÍø911 mit der 22FDX+-Plattform neue Ma?st?be in Sachen Leistung und Effizienz. Dabei handelt es sich um unsere neueste Generation der FD-SOI-Prozesstechnologie, die sich in der Serienproduktion befindet und speziell f¨¹r die anspruchsvollen Anwendungen von heute entwickelt wurde.

Das zeichnet die 22FDX+-Plattform f¨¹r eingebettete KI-Anwendungen aus:

  • Adaptive Body Biasing (ABB), eine Funktion, die aus einer erfolgreichen Zusammenarbeit mit unseren ?kosystempartnern bei , und hervorgegangen ist, passt die Schwellenspannung der Transistoren dynamisch an, um die Anwendung innerhalb des Leistungsrahmens zu halten oder bei Bedarf schrittweise mehr Rechenleistung bereitzustellen. ABB unterst¨¹tzt eine niedrigere Nennspannung (Vnom) von 0,4 V und reduziert damit die Gesamtleistung (mW/MHz) um 30 % im Vergleich zur aktuellen Vnom von 0,5 V.
  • Der neue logikbasierte Bitzellen-Speicher unterst¨¹tzt Spannungsbereiche von 0,4 V bis 0,9 V mit einer einzigen Versorgungsspannung und bietet damit bis zu 30 % power sowie eine 1,8- bis 2-fache Leistungssteigerung gegen¨¹ber foundry , die in der Regel auf 0,65 V bei einer einzigen Versorgungsspannung begrenzt sind und eine L?sung mit zwei Versorgungsspannungen ben?tigen, um niedrigere Spannungen zu erreichen. Die Kombination von Leistungssteigerung und power ¨C beispielsweise mehr Inferenzoperationen pro Sekunde bei gleicher power ¨C hebt 22FDX+-Bausteine auf die n?chste Stufe f¨¹r Vision-Anwendungen*.
  • Der 22FDX+ bietet eine Ultra-Low-Leakage (ULL) SRAM-Retentionsleckage von bis zu 0,35pA/Zelle (mit Source-Bias), was etwa 5x niedriger ist als bei einem 12nm-Prozess.
  • Ein mit 22 FDX+ entwickelter ?´¡±ô·É²¹²â²õ-°¿²Ô¡°-µþ±ô´Ç³¦°ì bietet im Vergleich zu anderen Technologien eine um bis zu 50 % geringere Leckstromst?rke. Die Reduzierung der power entscheidend, um die Lebensdauer bei batteriebetriebenen Anwendungen ¨C insbesondere bei der Objektverfolgung ¨C so weit wie m?glich zu verl?ngern.
  • 22 FDX+ bietet eine Vielzahl von Bibliotheksoptionen (ULP, HP, ULL), die Betriebsspannungen (VDD) von 0,4 bis 0,9 V und eine Vielzahl von Speicher-IPS unterst¨¹tzen.

Wenn Sie mehr dar¨¹ber erfahren m?chten, wie 22FDX+ und unsere Power Ihre Embedded-AI-Ger?te der n?chsten Generation unterst¨¹tzen k?nnen, k?nnen Sie uns jederzeit ¨¹ber gf.com kontaktieren.

*Bei Logik-Speicherzellen arbeitet ºÚÁÏÍø911 daran, power hervorragende power zu erzielen, ohne dass dies zu Lasten der Fl?che geht.

Anand Rangarajan ist Leiter des Bereichs Endm?rkte bei ºÚÁÏÍø911