Technologien
SiGe
Erzielen Sie erstklassige Leistung zu angemessenen Kosten
Dank jahrzehntelanger Innovationsarbeit erschlie?en wir das volle Potenzial von SiGe und bieten bew?hrte Silizium-Prozesstechnologien, die den Ma?stab f¨¹r leistungsstarke HF-Designs in den Bereichen Mobilfunk, Optik und Infrastruktur setzen.
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Bis heute wurden ¨¹ber 4 Milliarden Chips ausgeliefert
Nachgewiesene F¨¹hrungsrolle bei SiGe und -Fertigung, die sich in der Serienproduktion bew?hrt hat
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Fertigung in der von Ihnen ben?tigten Gr??enordnung
In unseren Werken in den USA und Singapur ist die Gro?serienfertigung von 300-mm- und 200-mm-Wafern m?glich
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Bereit f¨¹r 200 G/¦Ë
Hochleistungsf?hige (HP) Geschwindigkeits- und Technologiefunktionen, die f¨¹r 200 G/¦Ë ausgelegt sind
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Optimiert hinsichtlich Kosten und Leistung
Modulare Technologien und Funktionen erm?glichen L?sungen f¨¹r verschiedene M?rkte, die unterschiedliche Anforderungen an Kosten und Leistung abdecken
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SiGe mit ft/fmax > 400 GHz
Branchenf¨¹hrender SiGe mit verbesserter analoger Leistung und Bandbreite f¨¹r Hochfrequenz-HF- und Millimeterwellen-Anwendungen
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H?here Leistung bei geringerem power
Erm?glicht power geringeren power bei rauscharmen Verst?rkern (LNAs) sowie h?chste Verst?rkung bei optischen TIAs und Treibern
Hochleistungs SiGe
Wir bieten ein breites Portfolio an SiGe mit wettbewerbsf?higen Leistungswerten. Dank unseres modularen Ansatzes k?nnen Sie genau die Kombination aus Leistung, Integration und Kosten w?hlen, die Ihren Anwendungsanforderungen am besten entspricht.
Als branchenweit erste komplement?re Bipolar-Technologie bietet unsere CBIC-Technologie eine hochmoderne Integration von HBTs sowohl vom n-Typ (NPN) als auch vom p-Typ (PNP) mit marktf¨¹hrender Leistung (ft > 400 GHz bzw. ¨¹ber 200 GHz) und erm?glicht so Hochgeschwindigkeits-Analogverst?rker und rauscharme Verst?rker bei geringem power .
Unsere HPS-Technologien ¨C darunter die bew?hrten 8HP/8XP-Technologien sowie die 9HP/HP+-Technologien der neuesten Generation ¨C sind f¨¹r den Betrieb im Ultrahochfrequenzbereich und rauscharmes Arbeiten optimiert und bieten au?ergew?hnliche Geschwindigkeit, Bandbreite und Signalintegrit?t f¨¹r anspruchsvolle HF-, Millimeterwellen- und analoge Hochgeschwindigkeitsanwendungen. Gleichzeitig erm?glichen sie eine dichte HF- und digitale Integration auf einer kosteng¨¹nstigen Siliziumbasis.
Unsere SiGe wurden f¨¹r gr??ere Spannungsschwankungen, h?here Zuverl?ssigkeit und gr??ere power entwickelt und erm?glichen Anwendungen, die Leistung, Robustheit und Integration in den M?rkten f¨¹r drahtlose Infrastruktur und Konnektivit?t in Einklang bringen.
Skalierung der Daten¨¹bertragung im Rechenzentrum mit ? SiGe ¡° & Siliziumphotonik
Unsere Technologien ? Siliziumphotonik ¡° und ? SiGe ¡° erm?glichen optische Verbindungen, die deutlich h?here Datenraten, geringere Latenzzeiten und eine wesentlich bessere Energieeffizienz als Kupfer bieten. Diese Plattformen unterst¨¹tzen die f¨¹r KI-Cluster und gro? angelegte Cloud-Implementierungen erforderlichen Verbindungen mit hoher Bandbreite. Durch die Integration von Photonik, HF und CMOS auf einer einzigen Plattform erm?glichen wir einen schnelleren und effizienteren Datentransfer in modernen Rechenzentrumsarchitekturen.
Aktuelle Nachrichten & Einblicke
- Weitere Informationen: ºÚÁÏÍø911 und Marvell bauen ihre Zusammenarbeit im Bereich der optischen Konnektivit?t der n?chsten Generation aus
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- Weitere Informationen: Die Zukunft der HF-Technik gestalten: ºÚÁÏÍø911 auf der IMS und der RFIC 2026
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- Weitere Informationen: Von Elektronen zu Photonen: Skalierung der optischen Konnektivit?t mit Siliziumphotonik und SiGe
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- Weitere Informationen: ºÚÁÏÍø911 gibt die Serienreife der SiGe f¨¹r leistungsstarke Smart-Mobile-, Kommunikations- und Industrieanwendungen bekannt
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