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Technologien

RF

Erm?glichen Sie hocheffiziente Konnektivit?t f¨¹r schnelle und drahtlose Ger?te. Unser RF-Portfolio bietet optimierte Leistung, Energieeffizienz und Signalintegrit?t f¨¹r RF-Anwendungen in den Bereichen Unterhaltungselektronik, Infrastruktur und Konnektivit?t. Durch kontinuierliche Innovation erweitern wir die Grenzen der RF-Leistung, um die Weiterentwicklung von 5G und die Anforderungen der KI-gest¨¹tzten Konnektivit?t der n?chsten Generation zu unterst¨¹tzen.

F¨¹hrend bei RF-Leistung, Signalleistung und Zuverl?ssigkeit

  • Hoher Wirkungsgrad

    Optimierte Leistung und Signalintegrit?t ¨¹ber den gesamten Frequenzbereich von Sub-6-GHz bis hin zu Millimeterwellen

  • Flexibilit?t bei der Integration

    Von RF-SOI hochintegrierte Frontends ¨¹ber GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) f¨¹r power bis hin zu hochintegrierten HF-, Analog- und Digitaldesigns mit SiGe

  • Hohe Frequenz & Bandbreite

    HF-Technologien mit f¨¹r mmWave optimiertem Back-End-of-Line (BEOL) f¨¹r ausgew?hlte RF-SOI , branchenf¨¹hrende ft/fmax-Werte bei SiGe RF GaN mit gro?er Bandl¨¹cke

  • Vielseitigkeit bei der Anwendung

    Von der Stromversorgung hochwertiger Smartphones ¨¹ber Satellitenterminals und Hochgeschwindigkeitsnetzwerke in Rechenzentren bis hin zu modernen Radar- und Sensorsystemen

  • Innovative HF-L?sungen

    Die Grenzen der HF-Leistung erweitern ¨C von RF-SOI (3DI) f¨¹r eine optimale Fl?cheneffizienz ¨¹ber fortschrittliche SiGe Architekturen bis hin zu neuartigen GaN-Materialien

  • Vielf?ltige Fertigung

    Produktion an mehreren Standorten f¨¹r RF-SOI SiGe in den USA und Singapur sowie bew?hrte Fertigung von RF GaN unserem Werk in Burlington, Vermont

Ausgew?hlte Technologien

  • RF GaN

    Mit GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) nutzen wir die Vorteile der gro?en Bandl¨¹cke von GaN, um leistungsstarke und effiziente RF-L?sungen in kompakteren Formfaktoren und im kommerziellen Ma?stab bereitzustellen ¨C f¨¹r Mobilfunk, SATCOM-Systeme und RF-Anwendungen ¨¹ber ein breites Frequenzspektrum.
    Weitere Informationen: RF GaN

  • RF-SOI

    Unsere bew?hrten RF-SOI mit teilweiser Verarmung sind auf geringe HF-Verluste, hohe Linearit?t f¨¹r HF-Schalt- und Abstimmvorg?nge sowie hochintegrierte Front-End-F?higkeiten optimiert und erm?glichen so verlustarme, hochintegrierte HF-Front-End-Designs in gro?em Ma?stab.
    Weitere Informationen: RF-SOI

  • SiGe

    Unsere leistungsstarken SiGe bieten die perfekte Balance zwischen Leistung und power . Mit branchenf¨¹hrenden ft/fmax-Werten und integrierten HF-, Analog- und Digitalfunktionen erm?glichen unsere SiGe au?ergew?hnliche Geschwindigkeit, Linearit?t und Signalintegrit?t f¨¹r drahtlose, optische und Infrastruktur-Anwendungen.
    Weitere Informationen: SiGe

Skalieren Sie Ihre Designs mit unserem bew?hrten Partner-?kosystem

Nutzen Sie unser globales Partner-?kosystem mit bew?hrter Expertise in den Bereichen IP, EDA und Design-Dienstleistungen f¨¹r unsere HF-Prozesstechnologien, um die Entwicklung vom Konzept bis zur Produktion zu beschleunigen.

  • ASIC Nord
  • Kadenz
  • CoreHW
  • EnSilica
  • Falcomm
  • Innosilicon
  • Keysight
  • Siemens
  • Zusammenfassung
  • Bew?hrter Semi
  • Verisilicon
  • WeASIC
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RF

H?ufig gestellte Fragen

Wir bieten ein umfassendes HF-Portfolio, das auf unterschiedliche Anforderungen hinsichtlich Leistung, power Integration zugeschnitten ist, je nachdem, welche Priorit?ten Ihre Anwendung hat.

  • RF-SOI verlustarme, hochlineare und rauscharme HF-Leistung in gro?em Ma?stab f¨¹r die HF-Schaltung und -Abstimmung in Mobilfunk- und Konnektivit?tsanwendungen.
  • SiGe das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung und power f¨¹r hochfrequente, schnelle Analog- und Mixed-Signal-Schaltungen.
  • RF GaN eine power und hocheffiziente HF-Leistung f¨¹r anspruchsvolle Anwendungen in den Bereichen drahtlose Infrastruktur und Sensorik.

Ja. Wir bieten MPW-Prototyping f¨¹r alle unsere Technologieplattformen an, darunter RF-SOI, SiGe RF GaN.

Erfahren Sie mehr ¨¹ber unser GlobalShuttle? MPW-Programm und sehen Sie sich die kommenden Fahrpl?ne an.

Unsere HF-Technologien werden durch eine breit gef?cherte, an mehreren Standorten verteilte Produktionspr?senz unterst¨¹tzt:

  • RF-SOI: Fertigung an mehreren Standorten in unseren Werken in Malta, Burlington und Singapur
  • SiGe: Fertigung an mehreren Standorten in unseren Werken in Malta, Burlington und Singapur
  • RF GaN: Bew?hrte Fertigung in den USA in unserem Werk in Burlington

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