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Technologien

FDX? FD-SOI

Unsere branchenf¨¹hrende FDX-Plattform auf Basis von Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI) wurde speziell f¨¹r intelligente Anwendungen am Netzwerkrand entwickelt und bietet beispiellose Energieeffizienz sowie anpassungsf?hige Leistung, um stets aktive, intelligente Ger?te zu unterst¨¹tzen.

Mit FDX erzielen Sie einen geringeren Energieverbrauch und eine h?here Integration

Der Bedarf an reaktionsschnellen Echtzeiterlebnissen f¨¹r die n?chste Generation intelligenter Systeme w?chst stetig. FDX-L?sungen bieten nachweislich kompromisslose Energieeffizienz, anpassungsf?hige Leistung und eine robuste Palette anwendungsoptimierter Erweiterungen f¨¹r mehr Designfreiheit. So k?nnen Sie L?sungen f¨¹r Verbraucher- und Industrieanwendungen am Edge und dar¨¹ber hinaus realisieren.

  • Spitzenleistung im RF-/mmWave-Bereich

    Dank f¨¹hrender Front-End- und Back-End-Funktionen wird eine sichere drahtlose Verbindung ¨¹ber gro?e Entfernungen bei verbesserter power erm?glicht

  • Extrem niedrige Spannung und Leckstrom

    Nutzen Sie die FD-SOI-typischen Vorteile hinsichtlich des Leckstroms durch die Option f¨¹r den Ultra-Low-Voltage-Betrieb (ULV) sowie Ultra-Low-Leakage-Logik (ULL) und SRAM

  • Adaptive body biasing (ABB)

    Nutzen Sie die architektonischen Vorteile von FD-SOI, um Leistung und Energieeffizienz dynamisch zu optimieren und dabei von einer gr??eren Designflexibilit?t zu profitieren

  • Flexibler Funktionsumfang

    Eine robuste, anwendungsoptimierte Suite von Erweiterungen, einschlie?lich Optionen in Automobilqualit?t, L?sungen mit eingebettetem nichtfl¨¹chtigem Speicher (eNVM), flexibler Spannungsunterst¨¹tzung und KI-Toolkits

  • Zuverl?ssigkeit in der Fertigung

    Lieferung von ICs f¨¹r die Flaggschiffprodukte globaler Tier-1-Unternehmen, mit Produktion an mehreren Standorten in zertifizierten Werken in Malta, New York und Dresden

  • Advanced packaging

    Unterst¨¹tzung f¨¹r die ? advanced packaging ¡°-Integration mit bew?hrtem Wafer-Warpage-Management, prototypentauglichen Through-Silicon-Vias (TSVs) und Bonding-Fabric f¨¹r die 2,5/3D-Integration

Die Zukunft von FD-SOI f¨¹r ? Physical AI ¡°: FDX Fusion

FDX Fusion wurde so konzipiert, dass es nach seiner Fertigstellung die weltweit fortschrittlichste FD-SOI-Technologie sein wird, und erweitert unsere FDX-Roadmap um fortschrittliche Funktionen in den Bereichen Digital, HF, Analog, Mixed-Signal, Speicher und Low-Power. Unsere FDX-Fusion-Plattform, die eine digitale Leistung im 7-Nanometer-Bereich, eine mehr als doppelt so hohe Dichte im Vergleich zur FDX-Technologie der ersten Generation sowie eine HF-Leistung von bis zu 0,5 THz ft/fmax bieten soll, wurde speziell f¨¹r die n?chste Generation von ? Physical AI ¡°-Workloads entwickelt. Kontaktieren Sie uns, um mehr ¨¹ber die geplante Verf¨¹gbarkeit zu erfahren.

Weitere Informationen: Die Zukunft von FD-SOI f¨¹r ? Physical AI ¡°: FDX Fusion

Umfassende, individuell anpassbare Erweiterungen f¨¹r Ihre Anforderungen

Nutzen Sie unsere FDX-Prozesstechnologie und die st?ndig wachsende Palette an Funktionserweiterungen, um die Speicher-, Spannungs- oder Analogl?sung auszuw?hlen, die Ihren Anwendungsanforderungen am besten entspricht.

Eine hochwertige, in Fahrzeuge integrierte nichtfl¨¹chtige Speicherl?sung (eNVM) der Klasse 1, die sich durch ¨¹berragende Leistung mit hohen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten sowie au?ergew?hnliche Zuverl?ssigkeit auszeichnet ¨C mit einer Lebensdauer von ¨¹ber 500.000 Zyklen und einer Datenspeicherdauer von 20 Jahren bei 150 ¡ãC.

Kosteneffiziente, BEOL-kompatible Integration, die intern auf der bew?hrten OxRAM-Technologie basiert und sich durch optimierte power, extrem niedrigen power bei Lesevorg?ngen, nachgewiesene Skalierbarkeit (unter 10 ppm), 3D-Integrationsf?higkeit und vollst?ndige St?rfestigkeit gegen¨¹ber Umgebungsfeldern auszeichnet.

*im Vergleich zu eFlash

Flexible Spannungsunterst¨¹tzung (bis zu 25 V), SRAM f¨¹r anspruchsvolle Display- undpower , digitaler Betrieb bei 0,65 V f¨¹r geringeren dynamischen power, Gate-First-Prozess mit 20¨C30 % geringerer Fehlanpassung f¨¹r geringeren Platzbedarf und power.

Verbesserte Optionen f¨¹r HF-Bauteile erm?glichen eine verbesserte Rauschzahl, Linearit?t und Effizienz power (PAs) sowie eine in ihrer Klasse f¨¹hrende Leistung im Millimeterwellenbereich.

Hohe Lebensdauer und Zuverl?ssigkeit in Automobilqualit?t dank eMRAM

eMRAM ist aufgrund seiner thermischen Belastbarkeit, seiner schnellen Zugriffszeiten, seiner robusten Fehlerkorrektur und seiner langfristigen Zuverl?ssigkeit die am weitesten verbreitete eNVM-L?sung f¨¹r anspruchsvolle, sicherheitskritische Anwendungen im Automobilbereich.

Aufbauend auf mehr als 15 Jahren Erfahrung in der Automobilfertigung nutzt unsere AutoPro150-eMRAM-L?sung die FDX-Prozesstechnologie, um Zuverl?ssigkeit in Automobilqualit?t in gro?em Ma?stab zu gew?hrleisten ¨C damit k?nnen Sie Geschwindigkeit, power und Fl?che f¨¹r Automobilanwendungen der n?chsten Generation optimieren.

Weitere Informationen: Hohe Lebensdauer und Zuverl?ssigkeit in Automobilqualit?t mit eMRAM

ºÚÁÏÍø911-Webinarreihe f¨¹r Unternehmen: Die Entwicklung vom Edge bis zum Physical AI

Dieses Webinar zeigt, wie MIPS und unsere CMOS-Technologien die Entwicklung intelligenter, autonomer und vernetzter Ger?te vorantreiben ¨C von Edge- bis hin zu ? Physical AI ¡°-Anwendungen.

FDX-Anwendungen

Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung

Unterst¨¹tzung von SATCOM-Frontend-Modulanwendungen und zugeh?riger Elektronik durch zuverl?ssige Fertigung, HF-Kompetenz und einen Betrieb mit geringer Leckleistung f¨¹r missionskritische Umgebungen

Weitere Informationen: Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung

Automotive

Unterst¨¹tzung intelligenter Sensoren, Automobil-Prozessoren und Radar-SoCs, die f¨¹r den Echtzeitbetrieb ausgelegt sind und anspruchsvolle Anforderungen an Sensorik und Datenverarbeitung mit branchen¨¹blicher Zuverl?ssigkeit erf¨¹llen

Weitere Informationen: Automobilbranche

Consumer- und Industrie-IoT

Bereitstellung von L?sungen f¨¹r drahtlose Anwendungen, Mikrocontroller (MCUs) und HMI-Komponenten, einschlie?lich DDICs und ISPs, zur Unterst¨¹tzung des Always-On-Betriebs (AON) und von ? Energieeffizienz ¡°-Designs f¨¹r vernetzte Ger?te am Netzwerkrand

Weitere Informationen: IoT f¨¹r Privathaushalte und Industrie

Mobile Endger?te

Unterst¨¹tzt 5G-mmWave-Frontend-Module, Bildgebungsger?te, DDICs, NFC und Secure Elements und erm?glicht so fortschrittliche, sichere Funktionen in kompakten Verbraucherger?ten

Weitere Informationen: Intelligente Mobilger?te
FDX

H?ufig gestellte Fragen (FAQ)

Unsere FDX-Technologie bietet integrierte Speicherl?sungen f¨¹r MRAM und RRAMund erm?glicht so eine nichtfl¨¹chtige Datenspeicherung bei geringem power und schnellem Zugriff und verbesserter Systemeffizienz.

Die Wahl h?ngt von den Priorit?ten Ihrer Anwendung ab. Wenn Ihr Design h?chste Leistung, hohe Lebensdauer und langfristige Zuverl?ssigkeit erfordert, ist MRAM die bevorzugte Option. F¨¹r Anwendungen, bei denen eine effiziente Integration in Serienfertigungen im Vordergrund steht, bietet RRAM eine flexible und kosteng¨¹nstige L?sung.

FDX wurde entwickelt, um Kosteneffizienz auf Systemebene zu erzielen, indem es power geringerem power , eine h?here Integration und eine geringere Designkomplexit?t erm?glicht, was dazu beitragen kann, die Produktionskosten durch kleinere Chipgr??en und vereinfachte Systemarchitekturen auszugleichen.

FDX nutzt standardm??ige CMOS-Entwurfsabl?ufe und erfordert keine speziellen EDA-Tools. Dank unseres robusten IP-?kosystems und der einzigartigen Unterst¨¹tzung f¨¹r Body-Biasing erm?glicht FDX eine vereinfachte Einf¨¹hrung, einen optimierten Entwurfsprozess und eine schnellere Markteinf¨¹hrung.

Ja. Wir investieren weiterhin aktiv in unsere branchenf¨¹hrende FDX-Plattform und bauen diese aus, wobei wir kontinuierlich neue Funktionen hinzuf¨¹gen und das ?kosystem stetig erweitern.

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