Technologien
BCD
F¨¹hrendes Power-Management
Dank ihrer breiten Einsatzm?glichkeiten im Nieder- bis Hochspannungsbereich erm?glichen die BCD-Prozesstechnologien von ºÚÁÏÍø911 den Entwicklern, Effizienz, Leistung, Integration und Robustheit in Einklang zu bringen.
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Unterst¨¹tzt Spannungen von 5 V bis 150 V
im gesamten BCD- und BCD-HV-Portfolio von ºÚÁÏÍø911
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Automobilindustrie: Klasse 1 und Klasse 0
L?sungen f¨¹r Anwendungen mit hohen Zuverl?ssigkeitsanforderungen
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Hochspannungsisolierung bis 200 V
mit Deep-Trench-Isolation (DTI) und einem breiten Angebot an passiven Bauelementen
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Umfassende Integration von Analog-, power Digitaltechnik
f¨¹r Mixed-Signalpower
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Hohe digitale Dichte
f¨¹r mehr Intelligenz und Kontrolle in kompakten power -Designs
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Wirkungsgrad Power
Anwendungsspezifisch optimiert, mit f¨¹hrenden Ger?te- und Integrationsoptionen im gesamten Portfolio
BCD-Technologien im ?berblick
Unser umfassendes BCD-Portfolio bietet skalierbare, anpassbare Plattformen f¨¹r hochintegrierte power . Dieser Portfolioansatz erm?glicht es unseren Kunden, die richtige Plattform f¨¹r die jeweilige Anwendung auszuw?hlen ¨C von kostenoptimiertem power bis hin zupower , die eine h?here Robustheit, einen gr??eren Spannungsbereich und eine tiefere Mixed-Signal-Integration erfordern.
Hochspannungs-BCD
Unsere Hochspannungs-BCD-L?sungen wurden f¨¹r anspruchsvolle Hochspannungsanwendungen entwickelt, die einen gr??eren Spannungsbereich, h?here Robustheit undpower tieferepower erfordern. Mit Deep-Trench-Isolation (DTI) bis zu 200 V, Betriebsbereichen von 5 V bis 150 V und optimiertem RDS(on) ¨¹ber alle Spannungsklassen hinweg unterst¨¹tzt unser Hochspannungs-BCD-Portfolio Systeme in den Bereichen Automobil, Industrie, Kommunikation und Rechenzentren, in denen power , Effizienz, Zuverl?ssigkeit und Integration von gr??ter Bedeutung sind.
Unsere fortschrittliche BCD-Hochspannungs-Prozesstechnologie f¨¹r power intelligenter power der n?chsten Generation, die den breitesten Spannungsbereich im Portfolio abdeckt (5 V¨C150 V, mit 165-V-F?higkeit). Unsere 55BCD-HV-Variante bietet eine Logikfrequenz von >200 MHz, eine Reduzierung der Chipfl?che um 25¨C40 % und >1 Mio. Gates/mm?, erm?glicht durch reduzierte Metallisierung (10 ?m Cu, Bond-over-Active) f¨¹r maximale Integration und Leistung.
- Ger?te mit einer Nennbetriebstemperatur von 175 ¡ãC
- Robustheit der Stufe 0
- Erstklassige 80-V-Schaltleistung f¨¹r 48-V-Systeme
- Hohe digitale Dichte f¨¹r Speicher, Steuerung, Schnittstellen und lokale Intelligenz
- Verschiedene Hochspannungs-Bauteilklassen f¨¹r geregelte 48-V-Versorgungsschienen, Kernschaltung, Front-End-Schutz und batterienahen Regelungsbereich
- Solide IP-Grundlage zur Verk¨¹rzung der Markteinf¨¹hrungszeit
Unsere bew?hrte, f¨¹r den Automobilbereich qualifizierte 300-mm-Hochspannungs-BCD-Plattform unterst¨¹tzt power bis zu 120 V. Dank ihrer bew?hrten Herstellbarkeit, ihrer etablierten Zuverl?ssigkeit und eines stabilen, kosteneffizienten Produktionsablaufs eignet sich diese Technologie besonders f¨¹r Kunden aus der Automobil- und Industriebranche, die eine schnellere Markteinf¨¹hrung, geringere Risiken und eine qualifizierte Plattform f¨¹r die Gro?serienfertigung anstreben.
BCD
Unsere BCD-Plattformen f¨¹r niedrige Spannungen unterst¨¹tzen einen breiten Betriebsbereich von 5 V bis 65 V, verf¨¹gen ¨¹ber rauscharme Bauelemente und sind nach Auto Grade 1 qualifiziert, um zuverl?ssige, hochintegrierte power Mixed-Signal-ICs f¨¹r Verbraucher-, Automobil- und Mobilanwendungen zu erm?glichen.
Our 55BCD technology delivers best-in-class RDS(on)¡¤Area (5V < 0.7 m¦¸¡¤mm?), reduced metallization overhead (10 ?m copper, bond-over-active, copper pillars), ultra-low leakage and noise to enable high-efficiency, compact power ICs.
Unsere 130BCD-Technologie ist die branchenweit erste BCD-Technologie auf 300-mm-Wafern mit Cu-Back-End-of-Line (BEOL). Sie unterst¨¹tzt einen breiten Spannungsbereich von 5 V bis 40 V und bietet einen optimierten RDS(on) f¨¹r power effiziente power . Dank flexibler Single- und Dual-Gate-IP sowie modularer Abl?ufe erm?glicht sie skalierbare, anpassbare power .
Unsere 180BCD-Technologie ist unsere serienerprobte BCD-Plattform, die seit ¨¹ber 14 Jahren in der Massenfertigung eingesetzt wird. Sie bietet bew?hrte Zuverl?ssigkeit, umfassende Wiederverwendbarkeit von IP-Bl?cken und Unterst¨¹tzung f¨¹r Multi-Programmable-L?sungen (MTP), um stabile power Mixed-Signal-ICs mit langem Lebenszyklus zu erm?glichen.
Aktuelle Nachrichten & Einblicke
- Weitere Informationen: ºÚÁÏÍø911 und Monolithic Power Systems gehen eine Produktionspartnerschaft ein, um leistungsstarke power -L?sungen in gro?em Ma?stab zu produzieren
ºÚÁÏÍø911 und Monolithic Power Systems schlie?en eine Produktionspartnerschaft, um die Skalierung von Hochleistungs- power -L?sungen voranzutreiben
- Weitere Informationen: ºÚÁÏÍø911 und Renesas bauen ihre Partnerschaft aus, um die Halbleiterfertigung in den USA voranzutreiben
ºÚÁÏÍø911 und Renesas bauen ihre Partnerschaft aus, um die Halbleiterfertigung in den USA voranzutreiben
- Weitere Informationen: Cirrus Logic und ºÚÁÏÍø911 erweitern ihre strategische Investition, um die Herstellung von Mixed-Signal-Halbleitern der n?chsten Generation in den USA voranzutreiben.
Cirrus Logic und ºÚÁÏÍø911 erweitern ihre strategische Investition, um die Herstellung von Mixed-Signal-Halbleitern der n?chsten Generation in den USA voranzutreiben.
- Weitere Informationen: ºÚÁÏÍø911 erweitert seine Technologieplattformen, um wichtige Anwendungen f¨¹r Elektro- und autonome Fahrzeuge der n?chsten Generation zu erm?glichen
ºÚÁÏÍø911 verbessert Technologieplattformen, um kritische Anwendungen f¨¹r elektrische und autonome Fahrzeuge der n?chsten Generation zu erm?glichen