Technologien
FinFET
Sch?pfen Sie mit FinFET das volle Leistungspotenzial aus und profitieren Sie von power optimierten power
Dank ¨¹ber einem Jahrzehnt Erfahrung in der Massenproduktion haben sich unsere FinFET-Prozesstechnologien in Verbraucher- und Industrieanwendungen bew?hrt. Gest¨¹tzt auf unsere umfangreichen IP-Bibliotheken f¨¹r Single-Fin- und Multi-Fin-Strukturen bieten wir die umfassendste FinFET-L?sung auf dem Markt und gew?hrleisten damit power kompromissloses power sowie hohe Leistungsf?higkeit.
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F¨¹r den Einsatz im Automobilbereich geeignet
L?sungen in Automobilqualit?t und ein umfangreiches Portfolio an f¨¹r den Automobilbereich geeigneten IPs und Designressourcen
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Ma?stabsgetreu f¨¹r HF-Anwendungen konstruiert
HF-optimierte Merkmale bieten hohe Leistung, power und Platzersparnis
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Bew?hrte Fertigung in den USA
Nachgewiesene Gro?serienfertigung in unserem Werk in Malta, New York, vollst?ndige PDKs und ein umfangreiches Angebot an IP-Komponenten, einschlie?lich Single-Fin-Bibliotheken
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F¨¹hrend power Sachen power
Bis zu 20 % geringerer power der Logikkerne power zu Technologien der 22-nm-Klasse, extrem geringe SRAM-Leckstr?me (0,5 pA/Zelle bei HD-Speicherung) und integriertes 3, power
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Umfassende Verbesserungen
Es wurden weitere Integrationen hinzugef¨¹gt, darunter f¨¹hrende RF-, ULL- und LDMOS-Bauteile f¨¹r universelle I/Os (GPIOs) mit geringem Leckstrom
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Advanced packaging
Einschlie?lich Through-Silicon-Vias (TSVs) zur Unterst¨¹tzung der 2,5/3D-Integration, Interposer und der ? wafer-to-wafer ¡°-Verbindung (W2W)
Die branchenweit umfassendste FinFET-L?sung
Mit ¨¹ber 3 Millionen ausgelieferten Wafern seit 2015 hat sich unsere FinFET-Plattform in Verbraucher- und Industrieanwendungen als weltweit umfassendste und wettbewerbsf?higste FinFET-L?sung in der Produktion bew?hrt.
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Qualifikation der Stufe 1 im Bereich Kfz-Technik
Bis zu 150 ¡ãC f¨¹r Zuverl?ssigkeit auf Industriestandard
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Bibliotheken mit einer einzigen Finne
F¨¹r einfachere, kleinere, leckagearme und zuverl?ssige Ein-/Ausg?nge
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12-nm-PPA der n?chsten Generation
Durch die Optimierung der Ecken auf unserer digitalen Plattform lassen sich power von bis zu 7¨C8 %, eine Leistungssteigerung von 3 % und eine Verringerung der Leckage um 20 % erzielen (im Vergleich zu den Benchmarks f¨¹r 2025)
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Bis zu 30 % geringerer Fl?chenbedarf
Im Vergleich zu 22-nm-Planar-Technologie und 7,5 T: branchenf¨¹hrende Werte bei Leistung, power und Fl?che (PPA) f¨¹r hohe Leistung und reduzierte Chipfl?che
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Strahlungsresistenz durch konstruktive Ma?nahmen
Die 3D-Architektur sorgt f¨¹r eine h?here Widerstandsf?higkeit gegen¨¹ber der Gesamtionisationsdosis (TID) und geringere Soft-Error-Raten und gew?hrleistet so einen zuverl?ssigen Betrieb in rauen Umgebungen
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RF optimized for <15GHz applications
Mit geplanten Verbesserungen im Bereich HF
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Serienerprobte Einflosse
Optimiert f¨¹r power geringeren power
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Kapazit?tsdichte bis zu 43 fF/?m
Kompakte, leistungsstarke On-Chip-Kondensatoren
Umfassende, individuell anpassbare Erweiterungen f¨¹r Ihre Anforderungen
Wir bieten Ihnen ma?geschneiderte L?sungen der n?chsten Generation mit anwendungsorientierten Funktionserweiterungen. Ganz gleich, ob Sie eine h?here Ansteuerungsleistung oder power geringeren power ben?tigen ¨C wir erm?glichen es Ihnen, auf unserer FinFET-Prozesstechnologie aufzubauen, um eine L?sung zu entwickeln, die genau auf Ihre Anwendungsanforderungen zugeschnitten ist.
Unsere AutoPro 150 FinFET-L?sungen sind f¨¹r anspruchsvolle Automobilanwendungen der n?chsten Generation optimiert und bieten eine verbesserte PPA-Leistung (im Vergleich zu branchen¨¹blichen 16-nm-L?sungen f¨¹r die Automobilindustrie) sowie eine Zertifizierung nach Auto Grade 1 (bis zu 150 ¡ãC) f¨¹r einen zuverl?ssigen, langfristigen Betrieb.
Unsere HF-Optimierung erm?glicht power deutliche power und eine Verkleinerung der Chipfl?che (im Vergleich zu 22-nm-L?sungen), bietet HF-Bauteile f¨¹r integrierte power (PAs) und sorgt f¨¹r eine ¨¹berragende HF- und Analogleistung.
Our ULL enhancement enables longer battery life and lower standby power through advanced UHVT technology and optimized SRAM. Delivering up to 10x lower logic leakage and 30x lower SRAM retention leakage (<0.5 pA/cell), ULL is ideal for power-sensitive and always-on applications. Contact us to explore development opportunities.
FinFET-Anwendungen
H?ufig gestellte Fragen (FAQ)
Unsere FinFET-Prozesstechnologien unterst¨¹tzen Designs der Kategorie ?Auto Grade 1¡° mit einem breiten Spektrum an bew?hrten, speziell auf Automobilanwendungen zugeschnittenen IP-Bl?cken, darunter Logik-, Speicher-, Schnittstellen- und Analog-IP, um sicherheitskritische Anwendungen zu erm?glichen.
Die HF-optimierte Architektur unserer FinFETs bietet hohe Leistung, power und eine Reduzierung der Chipfl?che f¨¹r HF-Designs und unterst¨¹tzt damit die modernen drahtlosen Anwendungen von heute.
Unsere FinFET-Prozesstechnologien werden in unserem zertifizierten Werk in Malta, New York, hergestellt und bieten eine sichere und bew?hrte L?sung, die den gesetzlichen Anforderungen der USA entspricht.
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