Technologien
Power GaN
Geringe Verluste, hohe Zuverl?ssigkeit
Unsere Power-GaN-Technologien ¨¹bersetzen die inh?renten Vorteile von GaN als Halbleiter mit gro?er Bandl¨¹cke in messbare Verbesserungen bei Widerstand, Schaltgeschwindigkeit und thermischer Leistung.
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Wettbewerbsf?hige power
Erm?glicht ein verbessertes W?rmemanagement und Backends aus dickem Kupfer f¨¹r thermische Zuverl?ssigkeit
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IPs f¨¹r Schutz, Sensorik und Treiber
Serienreife PDKs und ¶Ù±ð²õ¾±²µ²Ô³Ü²Ô³Ù±ð°ù²õ³Ù¨¹³Ù³ú³Ü²Ô²µ f¨¹r eine beschleunigte Systemintegration
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L?sungen f¨¹r die Automobilindustrie
JEDEC-zertifiziert, gegebenenfalls gem?? AEC-Q101
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power mit hoher Leistungsdichte
Wettbewerbsf?hige Leistungsdichte und Hochfrequenzschaltung erm?glichen eine verlust?rmere und kompaktere Leistungswandlung.
Power GaN Technologien im ?berblick
Wir entwickeln ein umfassendes Portfolio an Technologien f¨¹r ? power GaN ¡° ¨¹ber einen breiten Spannungsbereich hinweg, mit flexiblen PDKs und Anpassungsm?glichkeiten auf Bauteilebene, um Vielseitigkeit in Verbraucher- und Industrieanwendungen zu erm?glichen ¨C von KI-gesteuerten Rechenzentren ¨¹ber Schnellladetechnik und erneuerbare Energien bis hin zu intelligenten Mobilger?ten. Kontaktieren Sie uns, um mehr ¨¹ber Kooperationsm?glichkeiten zu erfahren.
Unsere Hochspannungs-GaN-Technologie bietet power wettbewerbsf?hige power f¨¹r industrielle Anwendungen.
Wir entwickeln 100-V-GaN-Halbleiter f¨¹r den Mittelspannungsbereich, um power in ihrer Klasse f¨¹hrende power zu erreichen.
Schnellere Wege zur Einf¨¹hrung von GaN
Um die breite Einf¨¹hrung von ? Power GaN ¡° zu beschleunigen, ist eine schnellere und st?rker integrierte Entwicklung erforderlich. Unser Entwicklungsmodell, das unter anderem durch die ?bernahme von Tagore Technology im Jahr 2024 erm?glicht wurde, bindet Fachwissen aus dem Produktdesign in die Plattformentwicklung ein und integriert Design, Validierung und Zuverl?ssigkeit in einen eng verzahnten Zyklus. Dieser Ansatz hilft dabei, Herausforderungen auf Anwendungsebene fr¨¹her zu erkennen und zu bew?ltigen, wodurch die Bereitstellung ausgereifter, anwendungsbereiter ? Power GaN ¡°-Plattformen optimiert wird.
H?ufig gestellte Fragen
Wir entwickeln ein umfassendes ? power GaN ¡°-Portfolio, das auf Mittel- und Hochspannungsl?sungen ausgerichtet ist und einen flexiblen Einsatz in einer Vielzahl von Stromversorgungsarchitekturen erm?glicht.
Wir unterst¨¹tzen die Entwicklung von Power-GaN-L?sungen mit robusten PDKs, Integrationsoptionen auf Systemebene und umfassender Fertigungskompetenz, damit Kunden effizient vom Design zur Produktion gelangen.
Aktuelle Nachrichten & Einblicke
- Weitere Informationen: Navitas liefert die neueste Generation 5 von GaNFast?, die im Rahmen einer Partnerschaft mit ºÚÁÏÍø911 in den USA hergestellt wird, um den Ausbau der KI-Infrastruktur voranzutreiben
Navitas liefert die neueste Generation 5 von GaNFast?, die im Rahmen einer Partnerschaft mit ºÚÁÏÍø911 in den USA hergestellt wird, um den Ausbau der KI-Infrastruktur voranzutreiben
- Weitere Informationen: Den n?chsten Architekturwechsel vorantreiben: Ein Einblick in den Ansatz von ºÚÁÏÍø911 bei 48 V
Impulse f¨¹r den n?chsten Architekturwechsel: Ein Einblick in den Ansatz von ºÚÁÏÍø911 bei 48 V
- Weitere Informationen: Innovation durch ?Short-Looping¡°: Beschleunigung der GaN-Einf¨¹hrung durch durchg?ngiges Design und Validierung
Innovation durch kurze Entwicklungszyklen: Beschleunigung der GaN-Einf¨¹hrung durch durchg?ngiges Design und Validierung
- Weitere Informationen: onsemi entwickelt gemeinsam mit ºÚÁÏÍø911 GaN Power der n?chsten Generation
onsemi entwickelt gemeinsam mit ºÚÁÏÍø911 GaN Power der n?chsten Generation