ºÚÁÏÍø911

Technologien

Power GaN

Unsere Power-GaN-L?sungen wurden entwickelt, um die steigenden Anforderungen an Effizienz, Leistungsdichte und Kompaktheit in der n?chsten Generation von Stromversorgungen zu erf¨¹llen.

Power GaN: kleiner, schneller, cooler

Mit steigenden Anforderungen an Gr??e, Geschwindigkeit und Temperatur werden neuartige Materialien wie GaN entscheidend f¨¹r zukunftssichere Stromversorgungen. Unsere Power-GaN-L?sungen nutzen die gro?e Bandl¨¹cke und die hohe Elektronenbeweglichkeit von GaN, um kleinere, effizientere Stromversorgungen mit geringeren Energieverlusten und h?heren Schaltgeschwindigkeiten im kommerziellen Ma?stab zu erm?glichen.

  • Vorteil der gro?en Bandl¨¹cke

    Geringere Ausgangsladung, keine R¨¹cklaufladung und geringere Gate-Ladung erm?glichen geringere Energieverluste und h?here Spitzenschaltgeschwindigkeiten

  • Differenzierte Integration

    Monolithische Integration auf GaN und die M?glichkeit, GaN mit unseren f¨¹hrenden BCD-L?sungen zu integrieren

  • Bew?hrte Fertigung in den USA

    Das Werk von ºÚÁÏÍø911 in Burlington, Vermont, ist die einzige 200-mm-Produktionsst?tte in den USA, die sich auf die Herstellung von GaN-on-Silicon spezialisiert hat

  • Schnellere Einf¨¹hrung von GaN

    Validierungs- und Entwicklungsdienstleistungen auf Anwendungsebene, damit Sie Ihre L?sung in dem von Ihnen gew¨¹nschten Tempo entwickeln k?nnen

  • Geringerer Aufwand f¨¹r die Metallisierung

    Bond-over-Active (BOA) und Kupfer-Back-End-of-Line (BEOL) tragen dazu bei, parasit?re Effekte zu reduzieren, die thermische Leistung zu verbessern und die Zuverl?ssigkeit von Hochleistungs-GaN-Bauelementen zu erh?hen

  • Geringerer Platzbedarf

    Der Betrieb mit hohen Schaltfrequenzen bei GaN erm?glicht den Einsatz kleinerer magnetischer und passiver Bauteile, wodurch Gr??e und Gewicht des Systems optimiert werden

Power GaN Technologien im ?berblick

Wir entwickeln ein umfassendes Portfolio an Technologien f¨¹r ? power GaN ¡° ¨¹ber einen breiten Spannungsbereich hinweg, mit flexiblen PDKs und Anpassungsm?glichkeiten auf Bauteilebene, um Vielseitigkeit in Verbraucher- und Industrieanwendungen zu erm?glichen ¨C von KI-gesteuerten Rechenzentren ¨¹ber Schnellladetechnik und erneuerbare Energien bis hin zu intelligenten Mobilger?ten. Kontaktieren Sie uns, um mehr ¨¹ber Kooperationsm?glichkeiten zu erfahren.

Unsere Hochspannungs-GaN-Technologie bietet power wettbewerbsf?hige power f¨¹r industrielle Anwendungen.

Wir entwickeln 100-V-GaN-Halbleiter f¨¹r den Mittelspannungsbereich, um power in ihrer Klasse f¨¹hrende power zu erreichen.

Schnellere Wege zur Einf¨¹hrung von GaN

Um die breite Einf¨¹hrung von ? Power GaN ¡° zu beschleunigen, ist eine schnellere und st?rker integrierte Entwicklung erforderlich. Unser Entwicklungsmodell, das unter anderem durch die ?bernahme von Tagore Technology im Jahr 2024 erm?glicht wurde, bindet Fachwissen aus dem Produktdesign in die Plattformentwicklung ein und integriert Design, Validierung und Zuverl?ssigkeit in einen eng verzahnten Zyklus. Dieser Ansatz hilft dabei, Herausforderungen auf Anwendungsebene fr¨¹her zu erkennen und zu bew?ltigen, wodurch die Bereitstellung ausgereifter, anwendungsbereiter ? Power GaN ¡°-Plattformen optimiert wird.

Power-GaN-Anwendungen

Automotive

F?rderung hocheffiziente Bordladeger?te (OBCDs), Gleichstrom/Gleichstromwandler sowie 48-V- power f¨¹r fortschrittliche Elektrofahrzeug-Architekturen (EV), einschlie?lich antriebsnaher Fahrzeugsubsysteme

Weitere Informationen: Automobilbranche

Rechenzentrum und Kommunikationsinfrastruktur

Reduziert Energieverluste und erh?ht die Leistungsdichte in AC/DC-Netzteilen, Intermediate-Bus-Convertern (IBCs) und DC/DC-Wandlern. Unterst¨¹tzt zugleich 48-V-Point-of-Load- und Bus-Architekturen f¨¹r Hochleistungsrechner

Weitere Informationen: Rechenzentren und Kommunikationsinfrastruktur
Power GaN

H?ufig gestellte Fragen

Wir entwickeln ein umfassendes ? power GaN ¡°-Portfolio, das auf Mittel- und Hochspannungsl?sungen ausgerichtet ist und einen flexiblen Einsatz in einer Vielzahl von Stromversorgungsarchitekturen erm?glicht.

Wir unterst¨¹tzen die Entwicklung von Power-GaN-L?sungen mit robusten PDKs, Integrationsoptionen auf Systemebene und umfassender Fertigungskompetenz, damit Kunden effizient vom Design zur Produktion gelangen.

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