ºÚÁÏÍø911

Technologien

RF GaN

Sch?pfen Sie mit unseren RF GaN das volle Potenzial an power Effizienz aus ¨C und profitieren Sie von kostenoptimierten L?sungen mitpower und Leistung bei kompakterer Bauweise.

Mit RF GaN die Revolution der drahtlosen Konnektivit?t vorantreiben

Die Zahl der vernetzten Ger?te steigt, und das Datenverkehrsvolumen w?chst rasant. Halbleitermaterialien mit gro?er Bandl¨¹cke wie Galliumnitrid (GaN) erm?glichen eine h?here HF-Ausgangsleistung, einen h?heren Wirkungsgrad sowie den Betrieb bei h?heren Frequenzen ¨C auch in anspruchsvollen Anwendungen. Die RF-GaN-Technologien von ºÚÁÏÍø911 nutzen die inh?renten Vorteile von Galliumnitrid, um wirtschaftlich realisierbare L?sungen zu erm?glichen und die Leistungsgrenzen bestehender HF-Infrastrukturen zu ¨¹berwinden.

  • Vorteile von GaN-on-Si

    Wir nutzen auf einzigartige Weise die GaN-auf-Silizium-Integration (GaN-on-Si), um das kommerzielle Potenzial von GaN auszusch?pfen ¨C und erm?glichen so eine kosteng¨¹nstige Massenfertigung.

  • Hohe HF-Leistung

    Die hervorragende Verst?rkung und Effizienz in den Frequenzb?ndern FR1 und FR3 erm?glicht leistungsstarke, power L?sungen sowohl f¨¹r Ger?te im D-Modus als auch im E-Modus.

  • Hohe power

    Unser RF GaN ¨¹berragende HF-Leistung sowohl f¨¹r D-Mode- als auch f¨¹r E-Mode-Bauelemente und erm?glicht es Entwicklern, power, Wirkungsgrad und Linearit?t zu optimieren.

  • Thermische Zuverl?ssigkeit

    Entwickelt, um die thermischen Herausforderungen zu bew?ltigen, die mit dempower einhergehen, und um eine konstante Leistung in anspruchsvollen Anwendungen zu gew?hrleisten.

  • Bew?hrte Fertigung in den USA

    Unser zertifiziertes Werk in Burlington, Vermont, ist die Heimat branchenf¨¹hrender RF-SOI SiGe und bietet bew?hrte, robuste Prozesssteuerungen sowie fortschrittliche Backend-Integration mit Kupfer.

  • Gest¨¹tzt auf unsere bew?hrte F¨¹hrungsrolle im Bereich HF

    Aufbauend auf unserer jahrzehntelangen RF-Expertise bietet unsere RF GaN robuste PDKs mit RF-Modellen, GlobalShuttle?-MPW -Programmdurchl?ufe und dedizierte Tapeouts.

RF GaN im ?berblick

Wir entwickeln ein umfassendes RF GaN f¨¹r Nieder- und Hochspannungsanwendungen. Unsere RF GaN sind f¨¹r raue Umgebungen ausgelegt und bieten eine herausragende HF-Leistung sowie power durch skalierbare Optionen, die den vielf?ltigen HF-Anforderungen in Verbraucher- und Industrieanwendungen gerecht werden.

Unsere f¨¹r D-Mode-Bauelemente entwickelte RF GaN ist f¨¹rpower in derpower Infrastruktur optimiert ¨C sie bietet power von bis zu 5 W/mm, einen PAE von bis zu 70 % und einen Betriebsbereich von 12¨C28 V im Frequenzbereich von 1¨C15 GHz.

Unsere f¨¹r intelligente Mobil- und Verbraucheranwendungen optimierte RF GaN mit niedrigerer Spannung wurde entwickelt, um die Akkulaufzeit zu verl?ngern und den Betrieb in neuen Frequenzb?ndern zu erm?glichen. Die Technologie nutzt innovative E-Mode-GaN-Transistoren und wurde in Zusammenarbeit mit Finwave Semiconductor entwickelt.

RF GaN

Mobile Endger?te

Niederspannungs- und RF GaN bestens geeignet, um hochfrequente, hocheffiziente power (PAs) zu unterst¨¹tzen und damit die Mobilfunkkonnektivit?t der n?chsten Generation zu erm?glichen

Weitere Informationen: Intelligente Mobilger?te
RF GaN

H?ufig gestellte Fragen

RF GaN eine ¨¹berragende Ausfallsicherheit in anspruchsvollen Umgebungen und zeichnet sich durch power h?here power , Effizienz und thermische Leistung aus, sodass mit weniger Bauteilen die gleiche power geringerem Platzbedarf erzielt werden kann.

Bei HF-Anwendungen bietet GaN eine h?here Leistungsdichte und einen h?heren Wirkungsgrad bei h?heren Frequenzen ¨C was kleinere, leichtere und Energieeffizienz HF-Konstruktionen erm?glicht.

Unsere RF GaN basiert auf GaN-on-Si und nutzt goldfreie, CMOS-kompatible Prozesse, um eine skalierbare Fertigung und eine nahtlose Integration in Silizium-?kosysteme zu erm?glichen. Diese einzigartige Integration erm?glicht eine kommerzielle Massenproduktion, Kosteneffizienz und Kompatibilit?t mit unserer bew?hrten RF-Fertigungsinfrastruktur.

Wir bieten sowohl Hochspannungs-D-Mode- als auch Niederspannungs RF GaN f¨¹r HF-Anwendungen im Infrastruktur- und Consumer-Bereich an. Dank dieser Spannungsflexibilit?t k?nnen Entwickler die optimale RF GaN entsprechend ihren Anforderungen an power, Wirkungsgrad und Systemkonfiguration ausw?hlen.

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