Wenn sich die Luftfahrt- und Verteidigungsbranche n?chste Woche auf der versammelt, werden sich die Branchenf¨¹hrer auf die unverzichtbaren Faktoren der Branche konzentrieren, darunter gesicherter Zugang, vertrauensw¨¹rdige Lieferketten f¨¹r kompromisslose Integrit?t und Vertraulichkeit sowie Modernisierungsma?nahmen zur Innovation nationaler Verteidigungssysteme. Doch keiner dieser Fortschritte ist nachhaltig ohne eine Fertigung, die sicher und skalierbar ist und auf lange Programmlebenszyklen ausgelegt ist.
Bei ºÚÁÏÍø911 haben wir uns dazu verpflichtet, diesen Bedarf durch die Halbleiterfertigung im Inland in unseren nach dem ?Trusted¡°-Standard zertifizierten Werken in Malta (New York) und Burlington (Vermont) zu decken. Als langj?hriger Lieferant f¨¹r das US-amerikanische Luftfahrt- und Verteidigungs?kosystem spielt unsere Pr?senz im Inland eine wesentliche Rolle bei der St?rkung widerstandsf?higer Halbleiterkapazit?ten, der Nutzung von Skaleneffekten f¨¹r den gewerblichen und industriellen Markt sowie der Spezialisierung auf den Luftfahrt- und Verteidigungsmarkt.
Aus diesem Grund haben wir den Transfer, die Einf¨¹hrung und die Markteinf¨¹hrung wichtiger Prozesstechnologien in den USA vorangetrieben, um die Sicherheit zu erh?hen und die inl?ndische Versorgung f¨¹r Anwendungen zu st?rken, die von sicherer Kommunikation und Radar bis hin zu Satellitenkommunikation, Signalverarbeitung und power reichen.
FDX? und FinFET: Effiziente Rechenleistung f¨¹r sichere, vernetzte Verteidigungssysteme
Im ºÚÁÏÍø911-Werk ?Malta¡° in New York l?uft die Produktion von FDX nun auf Hochtouren, nachdem diese im Rahmen unserer Zusammenarbeit mit NXP erstmals ²¹²Ô²µ±ð°ì¨¹²Ô»å¾±²µ³Ù worden war. Diese Plattform bietet die Vorteile von Fully-Depleted-SOI f¨¹r Systeme, die bei engen thermischen und power eine hohe Leistung erbringen m¨¹ssen.
Im Bereich der Modernisierung der Verteidigungstechnik unterst¨¹tzt unsere FDX-Technologie sichere Kommunikation und Vernetzung, indem sie ? Energieeffizienz ¡°-Rechen- und Steuerungsfunktionen n?her am Netzwerkrand erm?glicht, die Autonomie am Netzwerkrand durch latenzarme Verarbeitung f¨¹r Sensorfusion und Echtzeit-Entscheidungsfindung f?rdert und die Integration der Signalkette erm?glicht, indem gemischte Workloads mit RF-nahen Subsystemen zusammengef¨¹hrt werden. Von SATCOM-Frontend-Modulen bis hin zu intelligenten Sensoren entwickelt FDX die n?chste Generation vernetzter und sicherer L?sungen, die f¨¹r die Luft- und Verteidigungsindustrie von entscheidender Bedeutung sind.
Eine weitere wichtige, leistungsstarke und energieeffiziente Rechenplattform, die in New York hergestellt wird, ist unsere FinFET-Technologie. Als branchenweit umfassendste 1X-FinFET-Plattform bietet diese Technologie eine ¨¹berzeugende Kombination aus Rechenleistung, sicherer Konnektivit?t, power , Zuverl?ssigkeit und Strahlungsfestigkeit in einem anpassbaren, kompakten Design, das auf ¨¹ber einem Jahrzehnt Fertigungskompetenz basiert. Kunden wie BAE Systems nutzen die Technologie von ºÚÁÏÍø911 f¨¹r fortschrittliche Avionik- und Telekommunikationsanwendungen, die den rauen Bedingungen im Weltraum standhalten.
Umfangreiche Funktionen, Energieeffizienz in gro?em Ma?stab
Verteidigungssysteme setzen zunehmend auf Sensoren, Funkger?te, Ortungsger?te und Mikrocontroller, die am Netzwerkrand betrieben werden ¨C oft in Umgebungen, in denen Batterielaufzeit, Temperatur und Zuverl?ssigkeit die Einsatzm?glichkeiten bestimmen. Die power von ºÚÁÏÍø911 wurde genau f¨¹r diese Anforderungen entwickelt und zeichnet sich durch extrem geringen Standby-Leerlaufstrom, hohe Lebensdauer und integrierte analoge Funktionen aus.
Wie bereits im vergangenen Oktober ²¹²Ô²µ±ð°ì¨¹²Ô»å¾±²µ³Ù, bringt ºÚÁÏÍø911 seine power nach New York ¨C ein entscheidender Schritt f¨¹r Kunden aus der Luftfahrt- und Verteidigungsbranche, die auf der Grundlage einer robusten US-amerikanischen Fertigungpower und Steuerungsl?sungen der n?chsten Generationpower planen.
Der 12S0 ist eine weitere wichtige Technologie, die an unserem Standort in New York hergestellt wird und auf die A&D-Kunden wie BAE Systems vertrauen. Sie hat sich im Flugbetrieb als strahlungsgeh?rtete L?sung f¨¹r empfindliche Weltraumanwendungen bew?hrt. Als hochgradig anpassbare Plattform mit Vorteilen power und Platzbedarf, die von einem starken Netzwerk an Designpartnern unterst¨¹tzt wird, bietet der 12S0 die Flexibilit?t und Zuverl?ssigkeit, die f¨¹r effiziente und skalierbare elektronische Systeme erforderlich sind.
45RFSOI & 45RFE: HF-Leistung f¨¹r SATCOM-Frontends und Beamformer
Moderne Verteidigungskommunikation st¨¹tzt sich auf Frequenzflexibilit?t, Strahlsteuerung und hocheffiziente HF-Frontends, insbesondere angesichts der Weiterentwicklung von SATCOM-Architekturen und der zunehmenden Verbreitung von Phased-Array-Antennen in Luft, zu Lande, zu Wasser und im Weltraum. Aus diesem Grund produziert ºÚÁÏÍø911 in Malta, New York, die Baugruppen 45RFSOI und 45RFE, um den Anforderungen an HF-Frontends und Strahlformung gerecht zu werden.
45RFSOI ist f¨¹r drahtlose Systeme im sehr hohen Frequenzbereich konzipiert, darunter moderne Radar- und 5G/6G-Millimeterwellen-Anwendungen, w?hrend 45RFE die Entwicklung von Mobiltelefonen und batteriebetriebenen Ger?ten mit geringerer Leckleistung und einem verbesserten Leistungsverst?rker erm?glicht. Diese Plattformen helfen Kunden aus dem Luft- und Verteidigungsbereich, mehr HF-Funktionalit?t in kompakten Formfaktoren zu integrieren, ohne dabei Kompromisse bei der Leistung einzugehen.
CBIC: Das SiGe leistungsst?rkste SiGe von ºÚÁÏÍø911
Die kostenlose Bi-CMOS-Silizium-Germanium-Plattform ?CBIC¡° von ºÚÁÏÍø911 ist die bislang leistungsst?rkste SiGe und zielt auf Hochleistungs- und Hochgeschwindigkeitskommunikation ab. Mit dem f¨¹r dieses Jahr geplanten vollst?ndigen Produktionshochlauf in Vermont wird die CBIC-Plattform den Zugang zu bew?hrten inl?ndischen L?sungen f¨¹r Anwendungen erweitern, bei denen HF-Leistung und Konsistenz entscheidend sind, darunter Satellitenkommunikation und fortschrittliche Radaranwendungen.
In der Praxis f¨¹hrt diese Leistungsf?higkeit zu konkreten Vorteilen f¨¹r das System. So erm?glicht beispielsweise bei rauscharmen Verst?rkern das technologische Design eine extrem niedrige Rauschzahl bei reduziertem Stromverbrauch. In modernen Radarsystemen erm?glicht die CBIC-Technologie hochaufl?sende Erfassung und Entfernungsmessung bei kompakter Bauweise und unterst¨¹tzt damit leistungsf?higere Sensorarchitekturen, bei denen Platz, Gewicht und power stark begrenzt power .
Power GaN: F?rderung von in den USA hergestellter Energie f¨¹r Plattformen der n?chsten Generation
Power ein strategisches Unterscheidungsmerkmal im Verteidigungsbereich und wirkt sich auf Ausdauer, Nutzlastkapazit?t, thermisches Design und Systemzuverl?ssigkeit aus. Da Galliumnitrid (GaN) zu einem entscheidenden Faktor f¨¹r h?here Energieeffizienz, gr??ere power und Kompaktheit in power wird, hat ºÚÁÏÍø911 seine power erweitert und dazu eine Technologie-Lizenzvereinbarung mit TSMC f¨¹r 650-V- und 80-V-GaN geschlossen.
Durch die Kombination bew?hrter GaN-Technologie mit dem Fokus von ºÚÁÏÍø911 auf robuste Fertigung entwickeln wir power , die f¨¹r raue Betriebsumgebungen ausgelegt sind, und schlie?en entscheidende L¨¹cken bei systemkritischen Plattformen, bei denen keine Leistungseinbu?en hingenommen werden d¨¹rfen.
Warum die technologische F¨¹hrungsrolle von ºÚÁÏÍø911 f¨¹r eine zuverl?ssige Fertigung in der Luft- und Raumfahrt von zentraler Bedeutung ist
Eine vertrauensw¨¹rdige Fertigung ist dann am st?rksten, wenn sie von einem florierenden ?kosystem getragen wird, das innovative Verfahrenstechnologien, engagierte Kunden und langfristige Partnerschaften vereint, welche f¨¹r Skalierbarkeit und Best?ndigkeit sorgen. Diese Kombination belegt, dass die Produktion in den USA f¨¹hrende Leistungsf?higkeit bieten und gleichzeitig die Sicherheits- und Qualit?tsanforderungen erf¨¹llen kann, die Luftfahrt- und Verteidigungsprogramme stellen.
Angesichts der steigenden Nachfrage nach zuverl?ssiger Fertigung in den USA stellt sich ºÚÁÏÍø911 weiterhin den Priorit?ten der nationalen Sicherheit, indem das Unternehmen die Widerstandsf?higkeit der heimischen Halbleiterindustrie und die langfristige Verteidigungsbereitschaft st?rkt ¨C heute und in Zukunft.
