So wie die zunehmende Verbreitung von KI das Wachstum von Rechenzentren vorantreibt, treibt die steigende Nachfrage nach mobilem Datenverkehr die Entwicklung von drahtlosen Kommunikationssystemen der n?chsten Generation voran. In den Bereichen Satellitenkommunikation, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Kommunikationsinfrastruktur m¨¹ssen HF-Systeme der n?chsten Generation power h?here power, gr??ere Bandbreite und h?here Effizienz bieten und gleichzeitig die Systemgr??e, die Kosten und die Komplexit?t reduzieren. Die Innovationskraft der Halbleiterindustrie stellt sich dieser systemtechnischen Herausforderung.
Im Mittelpunkt dieser Chance steht HF-Galliumnitrid (GaN). Bei ºÚÁÏÍø911 RF GaN von einer spezialisierten Hochleistungstechnologie zu einer gro? angelegten, kommerziell tragf?higen Plattform. Unser GaN-on-Silicon-Ansatz (GaN-on-Si) verbindet die Leistungsvorteile von GaN mit den Kostenvorteilen und dem Volumen der 200-mm-Siliziumfertigung ¨C ein entscheidender Schritt hin zur breiteren Einf¨¹hrung von GaN-L?sungen, die die Konnektivit?t der n?chsten Generation revolutionieren werden.
Erf¨¹llung der Anforderungen von RF-Systemen der n?chsten Generation
Moderne Funk- und Sensorsysteme m¨¹ssen ¨¹ber immer breitere Frequenzbereiche hinweg arbeiten, von Sub-6-GHz bis hin zu Millimeterwellen, und dabei power , Signalintegrit?t und Integration in Einklang bringen.
Dies zeigt sich besonders deutlich bei:
- ¨C Satellitenkommunikation, bei der Sender und kompakte Endger?te power h?here power Effizienz bei geringeren Systemkosten erfordern
- ¨C Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung, wo die Signalqualit?t und Zuverl?ssigkeit bei Fern¨¹bertragungen unter extremen Bedingungen von entscheidender Bedeutung sind
- ¨C Kommunikationsinfrastruktur, wo h?here Bandbreiten und power bei aktiven Antennensystemen erforderlich sind, um den wachsenden Datenbedarf zu decken
Dank unserer einzigartigen GaN-on-Si-Technologie erm?glichen wir es unseren Kunden, die Vorteile von GaN ¨C wie die gro?e Bandl¨¹cke, power hohe power und den hohen Wirkungsgrad ¨C zu nutzen, um das wahre Potenzial von GaN ¨¹ber Nischenanwendungen hinaus auszusch?pfen. So umgehen wir die Einschr?nkungen bestehender Infrastrukturen und erm?glichen es Netzwerken, mit gr??erer Bandbreite bei h?heren Frequenzen zu arbeiten.
Leistung, wo es darauf ankommt: Power, Effizienz und Zuverl?ssigkeit in rauen und missionskritischen Umgebungen
Unsere RF GaN wurde f¨¹rpower entwickelt und liefert ¨¹berzeugende Messergebnisse:
- ¨C power von bis zu 5 W/mm und ein Leistungswirkungsgrad (PAE) power 70 % f¨¹r Hochspannungs-HF-Anwendungen
- ¨C Hohe Verst?rkung und Effizienz ¨¹ber weite Frequenzbereiche, einschlie?lich der FR1- und FR3-B?nder (1 bis 15 GHz)
- ¨C Ein hoher Wirkungsgrad verringert die kumulative thermische Belastung auf Modulebene
- ¨C Ein fortschrittliches RF-Back-End-of-Line (BEOL) mit mehrschichtiger Metallverdrahtung, Kondensatoren und D¨¹nnschichtwiderst?nden bietet Entwicklern zus?tzliche Flexibilit?t
- ¨C Die mehrschichtige BEOL-Passivierung ist feuchtigkeitsbest?ndig, bietet hervorragenden Schutz vor rauen Umgebungsbedingungen und verl?ngert die Lebensdauer des Bauteils
- ¨C GaN-on-Si ist frei von Gold und Arsen und bietet somit eine langfristig umweltfreundlichere und kosteng¨¹nstigere L?sung
Auf Bauteilebene RF GaN von einem niedrigen Durchlasswiderstand, einer hohen Drain-Stromdichte und einem stabilen Betrieb sowohl bei niedrigen als auch bei hohen Spannungen, was den Wirkungsgrad steigert und power senkt.
Wir stellen vor: RFGaN1 ¨C f¨¹r h?here Spannungen optimiert, speziell f¨¹r D-Mode-Bauteile
Wir freuen uns, heute bekannt geben zu k?nnen, dass unsere RF GaN RFGaN1 serienreif ist ¨C unsere erste RF GaN , die f¨¹r die Serienfertigung qualifiziert wurde. Die Hochspannungs-RFGaN1-Plattform ist unsere optimierte L?sung f¨¹rpower in derpower Infrastruktur, darunter power , Treiberverst?rker undpower f¨¹r die Satellitenkommunikation, Mobilfunkinfrastruktur sowie den Luftfahrt- und Verteidigungsmarkt.
Die inh?renten MaterialeigenschaftenRF GaNerm?glichen einen robusten Betrieb und eine ¨¹berragende Ausfallsicherheit in anspruchsvollen Umgebungen. Unsere RFGaN1-Technologie erweitert diese Vorteile durch Bauelemente im Depletion-Modus (D-Modus), die bei 12¨C28 V betrieben werden und power dauerhaft hohe power thermischen Durchbruch sowiepower bieten, wodurch die kumulative thermische Belastung auf Modulebene reduziert wird. Diese Eigenschaften sind f¨¹r Luft- und Raumfahrt-, Verteidigungs- und Satellitenkommunikationssysteme von entscheidender Bedeutung und erm?glichen Schl¨¹sselanwendungen wie Phased-Array-Radare, SATCOM-Nutzlasten und Bodenterminals.
Kunden wie Falcomm und Otava RF nutzen unsere RFGaN1-Technologie bereits heute, um innovative L?sungen f¨¹r RF-Systeme der n?chsten Generation zu liefern:
?Falcomm freut sich ¨¹ber die Einf¨¹hrung der RFGaN1-Plattform durch ºÚÁÏÍø911, einen wichtigen Meilenstein f¨¹r die Branche, der die Hindernisse f¨¹r den Einsatz von RF GaN-Technologie Technologie in gro?em Ma?stab. Die leistungsstarken, im Inland hergestellten RF GaN-on-Si-Technologie ist entscheidend f¨¹r die Erschlie?ung der n?chsten Generation von Falcomms energieeffizienten RF power f¨¹r Verteidigung, Raumfahrt und kritische Infrastruktur.¡°
?Die RFGaN1-Plattform von ºÚÁÏÍø911 bietet eine leistungsstarke Grundlage f¨¹r die Zukunft adaptiver HF-Systeme und liefert die erforderliche Leistung und Effizienz erforderlich f¨¹r fortschrittliche Front-Ends in den kritischen M?rkten Verteidigung, 5G/6G und Satellitenkommunikation, die wir bedienen. Unsere Partnerschaft vereint erstklassige Halbleiterfertigung und bahnbrechende HF-Innovation, um L?sungen zu liefern, die die Grenzen des M?glichen in umk?mpften Frequenzspektren neu definieren. Gemeinsam erm?glichen Otava RF und ºÚÁÏÍø911 eine neue Generation agiler, leistungsstarker Kommunikations- und Sensorik-F?higkeiten F?higkeiten in gro?em Ma?stab.¡°
Ein praxisorientierter Weg zur RF GaN mit bew?hrter Fertigungskompetenz
F¨¹r HF-Entwickler waren der Zugang zu GaN-Technologie und deren Herstellbarkeit in der Vergangenheit eines der gr??ten Hindernisse bei der Einf¨¹hrung von GaN. Unsere RF GaN schlie?t diese Zugangsl¨¹cke durch Early-Access-Programme und GlobalShuttle MPW?-Programme (Multi-Project Wafer) f¨¹r eine kosteng¨¹nstige Prototypenentwicklung und Validierung. Mit Hilfe unserer bestehenden HF-Design-Infrastruktur und unseres GlobalSolutions? -Partner-?kosystems bieten wir umfassende, durchg?ngige Unterst¨¹tzung in jeder Phase des Design- und Fertigungsprozesses.
Ein weiterer wichtiger Bestandteil unseres differenzierten RF GaN ist unsere langj?hrige Erfahrung in der Gro?serienfertigung, insbesondere im Bereich der HF-Technologien, die wir in unserer 200-mm-Fabrik in Burlington, Vermont, vorweisen k?nnen. Als ?Accredited Trusted Foundry erf¨¹llt unser Werk in Burlington die strengen Anforderungen und Sicherheitsstandards f¨¹r die Herstellung kompromissloser Chips, die von der US-Regierung in Luftfahrt- und Verteidigungssystemen eingesetzt werden.
Zusammen bieten diese Elemente einen praktischen Weg zur Integration von GaN in reale Systeme, von der ersten Evaluierung bis hin zur Serienfertigung.
GaN f¨¹r HF-Systeme der n?chsten Generation in gro?em Ma?stab
Die Anforderungen an HF-Systeme in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Kommunikationsinfrastruktur entwickeln sich rasant weiter, angetrieben durch den Bedarf an h?herer power, gr??erer Bandbreite und st?rker integrierten Architekturen. RF GaN von ºÚÁÏÍø911 und das Know-how des Unternehmens in der Gro?serienfertigung bieten eine skalierbare L?sung zur Modernisierung bestehender Systeme ¨C mit der power und Effizienz, die f¨¹r die anspruchsvollsten HF-Anwendungen erforderlich sind.
RF GaN nicht mehr nur eine Leistungstechnologie ¨C es entwickelt sich zu einer skalierbaren Grundlage f¨¹r HF-Systeme der n?chsten Generation.
Wenn Sie mehr ¨¹ber unsere RF GaN und andere fortschrittliche HF-L?sungen erfahren m?chten, besuchen Sie unseren ºÚÁÏÍø911-Stand (Nr. 21018) auf dem International Microwave Symposium (IMS 2026), das vom 9. bis 11. Juni in Boston, Massachusetts, stattfindet.
Von Dan Denninghoff, Senior Director, RF GaN
