Ziel der Zusammenarbeit ist es, die CMOS-On-Chip-Speicherl?sung mit der h?chsten Speicherdichte f¨¹r die FDX-Plattform zu entwickeln, die in fortschrittlichen KI-Chips weit verbreitet ist. Dazu sollen im Vergleich zu handels¨¹blichem SRAM eine Fl?chenreduzierung von 40 % und eine Senkung des Stromverbrauchs ( power ) um bis zu 60 % erreicht werden.
MALTA, N.Y., und Petah Tikva, Israel, 2. September 2026 ¨C ºÚÁÏÍø911 (Nasdaq: ºÚÁÏÍø911S) (ºÚÁÏÍø911) und , ein Pionier im Bereich fortschrittlicher On-Chip-Speicherl?sungen, gaben heute eine strategische Zusammenarbeit zur Entwicklung und Qualifizierung der Gain-Cell-RAM-Technologie (GCRAM) bekannt. Die Partnerschaft hat mit dem erfolgreichen Tape-out eines GCRAM-Testchips auf der branchenf¨¹hrenden FDX?-FD-SOI-Plattform von ºÚÁÏÍø911 einen wichtigen Meilenstein erreicht.
Da Edge-AI-, Automobil- und IoT-Ger?te weiterhin beispiellose Datenmengen erfordern, ist der On-Chip-Speicher zu einem entscheidenden Engpass geworden und nimmt oft den gr??ten Teil der Chipfl?che ein. Entwickler suchen nach innovativen On-Chip-Speicherl?sungen, die im Vergleich zu handels¨¹blichem SRAM eine h?here Speicherdichte und einen geringerenpower -Verbrauch bieten.
Unter Nutzung der patentierten GCRAM-Technologie von RAAAM haben die Unternehmen die GCRAM-Bitzelle gemeinsam unter Anwendung ?versch?rfter¡° Designregeln auf Basis der FDX-Technologie entwickelt und dabei im Vergleich zu SRAM eine Verkleinerung der Speicherfl?che um 40 % sowie eine Reduzierung der Speicher power e um bis zu 60 % erreicht. Die Unternehmen haben gemeinsam einen GCRAM-Testchip entwickelt und in Produktion gegeben. Im n?chsten Schritt werden die Unternehmen Anfang 2027 damit beginnen, f¨¹hrenden Kunden Zugang zum GCRAM-Design zu gew?hren.
?Der erfolgreiche Tape-out unseres GCRAM-Testmodells auf der FDX-Plattform von ºÚÁÏÍø911 ist ein Beleg f¨¹r die starke Synergie zwischen den Speicherinnovationen von RAAAM und der herausragenden Fertigungskompetenz von ºÚÁÏÍø911¡°, sagte Robert Giterman, CEO und Mitbegr¨¹nder von RAAAM Memory Technologies. ?Unsere GCRAM-Technologie erm?glicht es Halbleiterunternehmen, ihre On-Chip-Speicherkapazit?t deutlich zu erh?hen oder die Siliziumfl?che zu reduzieren, w?hrend die gleiche Menge an On-Chip-Speicher beibehalten wird. Gleichzeitig verl?ngert die extrem geringe Leckstromrate der FD-SOI-Technologie die Datenspeicherdauer, sodass Entwickler erhebliche Energieeinsparungen f¨¹r Edge-AI-Ger?te erzielen k?nnen.¡°
?Bei ºÚÁÏÍø911 erweitern wir kontinuierlich die Grenzen des M?glichen auf unserer FDX-Plattform und bauen unser IP-Angebot stetig aus, um den Anforderungen unserer Kunden gerecht zu werden¡°, sagte Sudipto Bose, Vice President f¨¹r FD-SOI-Produktmanagement bei ºÚÁÏÍø911. ?Die Partnerschaft mit RAAAM Memory Technologies erm?glicht es uns, unseren Kunden eine ?u?erst ¨¹berzeugende On-Chip-Speicherl?sung anzubieten, die das Verh?ltnis von power, Leistung und Fl?che (PPA) f¨¹r fortschrittliche KI- und andere Anwendungen neu definiert.¡°
Die Halbleiterbranche erkennt bereits das Potenzial dieser gemeinsamen Entwicklung. NXP Semiconductors, ein f¨¹hrender Anbieter im Bereich intelligenter Edge-Systeme, pr¨¹ft derzeit eingehend die Vorteile der GCRAM-L?sung.
?Die Branche ben?tigt einen Paradigmenwechsel im Bereich der On-Chip-Speicher. Die von RAAAM und ºÚÁÏÍø911 entwickelte GCRAM-L?sung bietet ein immenses Potenzial¡°, sagte Victor Wang, Vice President f¨¹r Front-End-Innovation bei NXP Semiconductors. ?Die prognostizierte Verkleinerung der Fl?che und die Reduzierung der power bieten einen klaren Weg zur Steigerung der On-Chip-Speicherkapazit?ten, was entscheidend ist, um den Datentransfer au?erhalb des Chips zu reduzieren und eine h?here Effizienz auf Systemebene zu erzielen.¡°
?ber ºÚÁÏÍø911
ºÚÁÏÍø911 ist ein f¨¹hrender Hersteller von unverzichtbaren Halbleitern, die den gro? angelegten Einsatz von KI von der Cloud bis in die physische Welt erm?glichen. Durch enge Partnerschaften mit Kunden liefert ºÚÁÏÍø911 differenzierte, ? Energieeffizienz ¡°- und leistungsstarke L?sungen f¨¹r die Automobilindustrie, Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung, Rechenzentren, intelligente Mobilger?te, das Internet der Dinge und andere wachstumsstarke M?rkte. Mit weltweiten Produktionsst?tten in den USA, Europa und Asien ist ºÚÁÏÍø911 ein vertrauensw¨¹rdiger und ganzheitlicher Technologiepartner f¨¹r Kunden auf der ganzen Welt. Das talentierte, globale Team von ºÚÁÏÍø911 konzentriert sich jeden Tag auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit.
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?ber RAAAM Technologies
RAAAM Memory Technologies ist ein Fabless-Unternehmen f¨¹r Halbleiter-IP, das die branchenweit kosteng¨¹nstigste On-Chip-Speichertechnologie anbietet. Die patentierte Gain-Cell-RAM-Technologie (GCRAM) von RAAAM erm?glicht im Vergleich zu herk?mmlichem SRAM eine Reduzierung der Siliziumfl?che um bis zu 50 % und eine Senkung des Stromverbrauchs im power -Modus um bis zu 3:1. GCRAM kann in SoCs als direkter SRAM-Ersatz eingesetzt werden und ist vollst?ndig kompatibel mit Standard-CMOS-Fertigungsabl?ufen. Dadurch k?nnen Entwickler mehr Speicher auf einer kleineren Chipfl?che bei geringerem Stromverbrauch im power -Modus integrieren.
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