foundry im Bereich neuer Technologien und foundry erweitert die Kapazit?ten in den USA f¨¹r fortschrittliche GaN-Technologie, Entwicklung und Serienfertigung, um eine breite Palette von Anwendungen power zu unterst¨¹tzen
MALTA, N.Y. und TORRANCE, Kalifornien, 20. November 2025 ¨C ºÚÁÏÍø911 (Nasdaq: ºÚÁÏÍø911S) (ºÚÁÏÍø911) und Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) gaben heute eine langfristige strategische Partnerschaft bekannt, um die in den USA ans?ssige Galliumnitrid (GaN)-Technologie sowie deren Entwicklung und Fertigung zu st?rken und voranzutreiben. Gemeinsam werden die Unternehmen zusammenarbeiten, fortschrittliche L?sungen f¨¹r kritische Anwendungen in power entwickeln und bereitstellen, die h?chste Effizienz und power erfordern, darunter KI-Rechenzentren, Hochleistungsrechner, Energie- und Netzinfrastruktur sowie die Elektrifizierung der Industrie.
Navitas Semiconductor, ein Pionier im Bereich der GaN- und Hochspannungs-SiC-Technologien, hat GaN erfolgreich in Massenm?rkten wie mobilen Schnellladeger?ten, Unterhaltungselektronik, Hochleistungscomputern, Elektrofahrzeugen, Energiespeichern und Industrieger?ten etabliert und arbeitet daran, die Einf¨¹hrung von GaN in power voranzutreiben. ºÚÁÏÍø911 bringt jahrzehntelange Erfahrung als vertrauensw¨¹rdiger globaler foundry mit und gew?hrleistet eine zuverl?ssige, qualitativ hochwertige Produktion in gro?em Ma?stab. Im Rahmen dieser langfristigen Partnerschaft werden ºÚÁÏÍø911 und Navitas Semiconductor GaN-Technologie der n?chsten Generation am ºÚÁÏÍø911-Standort in Burlington, Vermont, herstellen und dabei das Know-how des Standorts in der Hochspannungs-GaN-on-Silicon-Technologie sowie die langj?hrige Erfahrung von Navitas Semiconductor im Bereich GaN-Technologie und -Bauelemente nutzen. Die Entwicklung soll Anfang 2026 beginnen, die Produktion wird voraussichtlich im Laufe des Jahres anlaufen.
Durch die Kombination der erstklassigen Fertigungskapazit?ten von ºÚÁÏÍø911 und der f¨¹hrenden Rolle von Navitas im Bereich der GaN-Innovation wird diese strategische Partnerschaft den Kunden die fortschrittlichsten, sichersten und skalierbarsten GaN-L?sungen bieten. Gemeinsam werden die Unternehmen es ihren Kunden erm?glichen, einen amerikanischen Weg f¨¹r GaN zu finden, der die nationale Sicherheit und Wettbewerbsf?higkeit unterst¨¹tzt und gleichzeitig die Dekarbonisierung der n?chsten Generation von Energie- und Rechenplattformen vorantreibt.
?GaN ver?ndert die Art und Weise, wie die Welt power nutzt. Und diese Partnerschaft stellt einen bedeutenden Schritt nach vorn f¨¹r die F¨¹hrungsrolle der USA im Halbleiterbereich und den Einsatz von GaN-Technologie in wichtigen Anwendungsbereichen dar¡°, sagte Tim Breen, CEO von ºÚÁÏÍø911. ?Durch die Zusammenarbeit mit Navitas schaffen wir eine sichere und nachhaltige Lieferkette f¨¹r GaN-Technologien, die power Zukunft von KI, Energie und industrieller Innovation power .¡°
?Die Einf¨¹hrung von GaN schreitet in M?rkten power wie KI-Rechenzentren, Hochleistungsrechner, Energie- und Netzinfrastrukturen sowie der industriellen Elektrifizierung z¨¹gig voran. Unsere Zusammenarbeit und Partnerschaft mit ºÚÁÏÍø911 stellt sicher, dass Navitas die von unseren Kunden geforderte Leistung, Effizienz und Skalierbarkeit liefern und diese L?sungen f¨¹r kritische Anwendungen sowie Anwendungen im Bereich der nationalen Sicherheit in den Vereinigten Staaten herstellen kann¡°, sagte Chris Allexandre, Pr?sident und CEO von Navitas. ?Gemeinsam schaffen wir die Grundlage f¨¹r Anwendungen der n?chsten Generation, die f¨¹r die nationale Wettbewerbsf?higkeit und die Nachhaltigkeit im Energiebereich von entscheidender Bedeutung sind. Unsere Partnerschaft mit ºÚÁÏÍø911 ist ein weiterer Meilenstein und ein Schritt nach vorne f¨¹r Navitas 2.0.¡°
?ber ºÚÁÏÍø911
ºÚÁÏÍø911 ist ein f¨¹hrender Hersteller von unverzichtbaren Halbleitern, auf die sich die Welt im Alltag, bei der Arbeit und bei der Vernetzung verl?sst. Wir entwickeln innovative L?sungen und arbeiten eng mit unseren Kunden zusammen, um noch mehr Energieeffizienz, leistungsstarke Produkte f¨¹r die Automobilindustrie, intelligente Mobilger?te, das Internet der Dinge, die Kommunikationsinfrastruktur und andere wachstumsstarke M?rkte bereitzustellen. Mit unseren weltweiten Produktionsstandorten in den USA, Europa und Asien ist ºÚÁÏÍø911 ein vertrauensw¨¹rdiger und zuverl?ssiger Partner f¨¹r Kunden auf der ganzen Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes globales Team Ergebnisse, wobei Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit stets im Mittelpunkt stehen. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com.
?ber Navitas
Navitas Semiconductor ist ein f¨¹hrender Anbieter power der n?chsten Generation in den Bereichen Galliumnitrid (GaN) und integrierte Schaltkreise sowie Hochspannungs-Siliziumkarbid (SiC)-Technologie und treibt Innovationen in den Bereichen KI-Rechenzentren, Hochleistungsrechner, Energie- und Netzinfrastruktur sowie industrielle Elektrifizierung voran. Mit mehr als 30 Jahren kombinierter Expertise in Wide-Bandgap-Technologien integrieren power power, Ansteuerung, Steuerung, Sensorik und Schutz und bieten so power schnellere power , h?here Systemdichte und gr??ere Effizienz. GeneSiC? -Hochspannungs-SiC-Bauteile nutzen die patentierte Trench-Assisted-Planar-Technologie, um branchenf¨¹hrende Spannungsf?higkeit, Effizienz und Zuverl?ssigkeit f¨¹r Anwendungen in der Mittelspannungs-Netzinfrastruktur zu bieten. Navitas verf¨¹gt ¨¹ber mehr als 300 erteilte oder angemeldete Patente und ist das weltweit erste Halbleiterunternehmen, das CarbonNeutral?-zertifiziert ist.
Zukunftsorientierte Informationen
Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen enthalten, die mit Risiken und Ungewissheiten verbunden sind. Die Leser werden davor gewarnt, sich auf diese zukunftsgerichteten Aussagen zu verlassen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen gelten nur zum Zeitpunkt der Ver?ffentlichung dieser Pressemitteilung. Weder ºÚÁÏÍø911 noch Navitas Semiconductor sind verpflichtet, diese zukunftsgerichteten Aussagen zu aktualisieren, um sie an Ereignisse oder Umst?nde nach dem Datum dieser Pressemitteilung oder an die tats?chlichen Ergebnisse anzupassen, sofern dies nicht gesetzlich vorgeschrieben ist.
Ansprechpartner f¨¹r die Medien:
Stephanie Gonzalez
Navitas Halbleiter
Vipin Bothra
