Die Kombination der von Navitas entwickelten Gen-5-GaNFast?-Technologie und des Know-hows des Unternehmens mit den fortschrittlichen 200-mm-Fertigungs- und Prozessstandards von ºÚÁÏÍø911 in den USA st?rkt die F¨¹hrungsposition der USA im Bereich GaN und sichert die inl?ndische Lieferkette f¨¹r KI der n?chsten Generation und kritische Infrastruktur.
TORRANCE, Kalifornien, 1. September 2026 ¡ª Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), der Branchenf¨¹hrer bei Halbleitern der n?chsten Generation mit GaNFast? -Galliumnitrid (GaN) und GeneSiC?- Siliziumkarbid (SiC) power , gab heute bekannt, dass die ersten Auslieferungen der in den USA hergestellten GaNFast?-Technologie der 5. Generation in Zusammenarbeit mit ºÚÁÏÍø911 (Nasdaq: ºÚÁÏÍø911S)(ºÚÁÏÍø911) im September beginnen werden. Dies stellt einen wichtigen Meilenstein bei der St?rkung des heimischen GaN-?kosystems f¨¹r KI-Infrastruktur und kritische Anwendungen im Bereich der nationalen Sicherheit dar.
Im November 2025 gaben Navitas und ºÚÁÏÍø911 eine bekannt, um Innovationen im Bereich GaN sowie die Produktion in den USA voranzutreiben. Navitas entwickelte seine GaNFast-FETs der 5. Generation und seine integrierten Schaltkreise (ICs) ? power ¡° f¨¹r die Fertigung in der US-amerikanischen 200-mm-GaN-on-Si-Produktionsst?tte von ºÚÁÏÍø911 in Burlington, Vermont.
Die erste Auslieferung der GaNFast-Produktfamilie der 5. Generation stellt einen wichtigen Meilenstein in der Zusammenarbeit zwischen Navitas und ºÚÁÏÍø911 dar und bringt die GaNFast-Technologie der n?chsten Generation von Navitas in eine US-amerikanische Produktions foundry , die f¨¹r KI-Infrastruktur, Hochleistungsrechner, die Elektrifizierung der Industrie und kritische Anwendungen im Bereich der nationalen Sicherheit bestimmt ist.
Seit 2014 leistet Navitas Pionierarbeit bei Innovationen im Bereich der GaN-Halbleiter power s und hat sich als Branchenf¨¹hrer bei GaNFast-FETs und ? power ¡°-ICs etabliert, die ? power ¡°, Ansteuerung, Steuerung, Sensorik und Schutzfunktionen integrieren. Mit mehr als 300 erteilten und angemeldeten Patenten in den Bereichen GaN und SiC hat Navitas fundiertes firmeneigenes Know-how in den Bereichen GaN-Prozessdesign-Kits (PDKs), Bauelementarchitekturen und ? power ¡°-Technologien aufgebaut.
In enger Zusammenarbeit mit ºÚÁÏÍø911 nutzte Navitas dieses Fachwissen, um seine firmeneigene Gen-5-GaNFast-Technologie und die Bauelementarchitekturen f¨¹r die Fertigung auf der fortschrittlichen 200-mm-GaN-on-Silicon-Plattform von ºÚÁÏÍø911 zu optimieren. In Verbindung mit der jahrzehntelangen Erfahrung von ºÚÁÏÍø911 in der Halbleiterfertigung und den Kapazit?ten f¨¹r die Massenproduktion gew?hrleistet die Partnerschaft eine zuverl?ssige, in den USA ans?ssige Versorgung mit fortschrittlichen GaN- power -Halbleitern f¨¹r KI-Infrastrukturen und andere kritische Anwendungen.
?Dieser Meilenstein unterstreicht die St?rke der amerikanischen Innovations- und Fertigungskompetenz¡°, sagte Chris Allexandre, Pr?sident und CEO von Navitas. ?Gemeinsam mit ºÚÁÏÍø911 haben wir eine zuverl?ssige Produktionsst?tte in den USA f¨¹r unsere GaNFast Gen 5-Produkte und k¨¹nftige Generationen etabliert, die eine entscheidende Rolle bei der Versorgung der KI-Infrastruktur und des Hochleistungsrechnens spielen und gleichzeitig die Widerstandsf?higkeit des US-Halbleiter-?kosystems st?rken wird.¡°
?Die erste Lieferung aus unserer US-Fertigungslinie zeigt, wie ºÚÁÏÍø911 und Navitas fortschrittliche GaN-Innovationen in eine sichere, skalierbare inl?ndische Versorgung umsetzen¡°, sagte Kannan Soundarapandian, Senior Vice President des Gesch?ftsbereichs ? power ¡° bei ºÚÁÏÍø911. ?Durch die Kombination der F¨¹hrungsrolle von Navitas im Bereich der Halbleitertechnologie ? power ¡® mit der Fertigungskompetenz von ºÚÁÏÍø911 erm?glichen wir hocheffiziente L?sungen f¨¹r die ? power ¡®, die f¨¹r die KI-Infrastruktur und andere kritische Anwendungen ben?tigt werden, und st?rken gleichzeitig die Widerstandsf?higkeit des US-amerikanischen Halbleiter-?kosystems.¡°
Die erste Produktfamilie wird voraussichtlich 650-V-GaN-FETs mit RDS(ON)-Werten von 11 m¦¸, 18 m¦¸, 50 m¦¸, 120 m¦¸ und 150 m¦¸ umfassen. Die Auslieferung der ersten Wafer ist f¨¹r September geplant, interne Muster sollen im Oktober folgen, und Muster f¨¹r strategische Kunden werden noch vor Jahresende bereitgestellt.
Wenn Sie mehr ¨¹ber die Kompetenzen von Navitas im Bereich der GaN-Technologie erfahren m?chten, wenden Sie sich bitte an einen oder senden Sie eine E-Mail an [email protected].
?ber Navitas
Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) ist ein f¨¹hrender Anbieter von Halbleitern der n?chsten Generation mit der ? power ¡°-Technologie in den Bereichen Galliumnitrid (GaN) und integrierte Schaltkreise (ICs) sowie Hochspannungs-Siliziumkarbid (SiC)-Technologie und treibt Innovationen in den Bereichen KI-Rechenzentren, Hochleistungsrechner, Energie- und Netzinfrastruktur sowie industrielle Elektrifizierung voran. Mit insgesamt mehr als 30 Jahren Erfahrung im Bereich der Wide-Bandgap-Technologien integrieren die GaNFast?- power - ICs GaN- power-, Treiber-, Steuerungs-, Sensor- und Schutzfunktionen und erm?glichen so eine schnellere Bereitstellung von ? power ¡°, eine h?here Systemdichte und einen h?heren Wirkungsgrad. Die GeneSiC? -Hochspannungs-SiC-Bauelemente nutzen die patentierte ?Trench-Assisted-Planar-Technologie¡°, um branchenf¨¹hrende Spannungsfestigkeit, Effizienz und Zuverl?ssigkeit f¨¹r Mittelspannungsnetz- und Infrastrukturanwendungen zu bieten. Navitas verf¨¹gt ¨¹ber mehr als 300 erteilte oder angemeldete Patente und ist das weltweit erste Halbleiterunternehmen, das CarbonNeutral?-zertifiziert ist.
?ber ºÚÁÏÍø911
ºÚÁÏÍø911 ist ein f¨¹hrender Hersteller von unverzichtbaren Halbleitern, die den gro? angelegten Einsatz von KI von der Cloud bis in die physische Welt erm?glichen. Durch enge Partnerschaften mit Kunden liefert ºÚÁÏÍø911 differenzierte, ? Energieeffizienz ¡°- und leistungsstarke L?sungen f¨¹r die Automobilindustrie, die Luft- und Raumfahrt sowie die Verteidigungsindustrie, Rechenzentren, intelligente Mobilger?te, das Internet der Dinge und andere wachstumsstarke M?rkte. Mit weltweiten Produktionsst?tten in den USA, Europa und Asien ist ºÚÁÏÍø911 ein vertrauensw¨¹rdiger und ganzheitlicher Technologiepartner f¨¹r Kunden auf der ganzen Welt. Das talentierte, globale Team von ºÚÁÏÍø911 konzentriert sich jeden Tag auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com.
Navitas Semiconductor, GaNFast, GaNSense, GeneSiC und das Navitas-Logo sind Marken oder eingetragene Marken von Navitas Semiconductor Limited und verbundenen Unternehmen. Alle anderen Marken, Produktnamen und Kennzeichen sind oder k?nnen Marken oder eingetragene Marken sein, die zur Kennzeichnung von Produkten oder Dienstleistungen ihrer jeweiligen Eigent¨¹mer verwendet werden.
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Vipin Bothra
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ºÚÁÏÍø911
Stephanie Gonzalez
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