Durch die Zusammenarbeit erweitert onsemi sein power um leistungsstarke laterale 650-V-GaN-L?sungen f¨¹r KI-Rechenzentren, die Automobilindustrie, die Luft- und Raumfahrt sowie andere kritische M?rkte

SCOTTSDALE, Arizona, und MALTA, New York, 18. Dezember 2025 ¨C onsemi (Nasdaq: ON) gab heute bekannt, dass es eine Kooperationsvereinbarung mit ºÚÁÏÍø911 (Nasdaq: ºÚÁÏÍø911S) (ºÚÁÏÍø911) unterzeichnet hat, um fortschrittliche Galliumnitrid (GaN) power unter Verwendung des hochmodernen 200-mm-eMode-GaN-on-Silicon-Prozesses von ºÚÁÏÍø911 zu entwickeln und herzustellen, beginnend mit 650 V. Diese Zusammenarbeit beschleunigt die Roadmap von onsemi f¨¹r leistungsstarke GaN-Bauelemente und integrierte power und erweitert das Portfolio um Hochspannungsprodukte, um den wachsenden power von KI-Rechenzentren, Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien, industriellen Systemen sowie der Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Sicherheit gerecht zu werden.

?Diese Zusammenarbeit vereint das System- und Produkt-Know-how von onsemi mit dem fortschrittlichen GaN-Prozess von ºÚÁÏÍø911, um neue power f¨¹r wachstumsstarke M?rkte bereitzustellen. In Kombination mit unseren Silizium-Treibern und -Controllern werden diese GaN-Produkte es Kunden erm?glichen, innovativ zu sein und kleinere, effizientere power f¨¹r KI-Rechenzentren, Elektrofahrzeuge, Weltraumanwendungen und dar¨¹ber hinaus zu entwickeln. Wir sind auf dem besten Weg, im ersten Halbjahr 2026 mit der Bereitstellung von Mustern f¨¹r Kunden zu beginnen und rasch auf Serienproduktion umzustellen.¡° ¨C Dinesh Ramanathan, Senior Vice President of Corporate Strategy, onsemi.

?Durch die Kombination unserer 200-mm-GaN-on-Si-Plattform und unserer Fertigung in den USA mit der umfassenden System- und Produktkompetenz von onsemi beschleunigen wir die Entwicklung hocheffizienter L?sungen und bauen widerstandsf?hige Lieferketten f¨¹r Rechenzentren, die Automobilindustrie, die Industrie, die Luft- und Raumfahrt sowie die Verteidigungsindustrie und andere kritische M?rkte auf. Mit onsemi als wichtigem Partner werden wir GaN-Halbleiter weiterentwickeln, die den sich wandelnden Anforderungen von KI, Elektrifizierung und nachhaltiger Energie gerecht werden.¡° ¨C Mike Hogan, Chief Business Officer, ºÚÁÏÍø911.

onsemi wird seine branchenf¨¹hrenden Silizium-Treiber, Controller und thermisch optimierten Geh?use mit der 650-V-GaN-Technologieplattform von ºÚÁÏÍø911 kombinieren, um optimierte GaN-Bauteile mit h?herer power und Effizienz zu liefern. Dazu geh?ren power und DC-DC-Wandler f¨¹r KI-Rechenzentren, Bordladeger?te und DC-DC-Wandler f¨¹r Elektrofahrzeuge, Solar-Mikrowechselrichter und Energiespeichersysteme sowie Motorantriebe und DC-DC-Wandler f¨¹r Anwendungen in den Bereichen Industrie, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Sicherheit.

Diese Initiative erweitert das f¨¹hrende power von onsemi, das nun das gesamte Spektrum der GaN-Technologien abdeckt ¨C von lateralen GaN-Bauelementen f¨¹r Nieder-, Mittel- und Hochspannung bis hin zu vertikalen GaN-Bauelementen f¨¹r Ultrahochspannung. Damit k?nnen Systementwickler power der n?chsten Generation entwickeln, die mehr power geringerem Platzbedarf bieten. Zu den Vorteilen von GaN geh?ren:

  • Betrieb bei h?heren Frequenzen ¨C Durch den Betrieb bei h?heren Schaltfrequenzen erm?glicht GaN den Entwicklern, die Anzahl der Bauteile, die Systemgr??e und die Kosten zu reduzieren und gleichzeitig den Wirkungsgrad und die thermische Leistung zu verbessern.
  • Bidirektionale Funktionsweise ¨C Bidirektionale GaN-Funktionen erm?glichen v?llig neue Topologien, die bis zu vier herk?mmliche unidirektionale Transistoren ersetzen k?nnen, wodurch Kosten gesenkt und Designs vereinfacht werden.
  • Integrierte Funktionalit?t ¨C Durch die Kombination von GaN-FETs mit Treibern, Controllern, Isolation und Schutzfunktionen in einem einzigen Geh?use lassen sich schnellere Entwicklungszyklen und geringere elektromagnetische St?rungen erzielen. Die thermisch optimierten Geh?use und die optimierten Gate-Treiber sorgen f¨¹r eine h?here Leistung und Zuverl?ssigkeit, selbst bei hohen Schaltgeschwindigkeiten.

Zeitplan und Verf¨¹gbarkeit

onsemi wird im ersten Halbjahr 2026 mit der Bereitstellung von Musterexemplaren beginnen.

?ber onsemi

onsemi (Nasdaq: ON) treibt bahnbrechende Innovationen voran, um eine bessere Zukunft zu gestalten. Mit Schwerpunkt auf den Endm?rkten Automobil und Industrie treibt das Unternehmen den Wandel in Megatrends wie Fahrzeugelektrifizierung und -sicherheit, nachhaltige Energienetze, industrielle Automatisierung sowie 5G- und Cloud-Infrastruktur voran. onsemi bietet ein hoch differenziertes und innovatives Produktportfolio und liefert intelligente power Sensortechnologien, die die komplexesten Herausforderungen der Welt l?sen und den Weg zu einer sichereren, saubereren und intelligenteren Welt ebnen. onsemi ist im Nasdaq-100-Index gelistet? und im S&P 500? . Erfahren Sie mehr ¨¹ber onsemi unter .

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?ber ºÚÁÏÍø911

ºÚÁÏÍø911 ist ein f¨¹hrender Hersteller von unverzichtbaren Halbleitern, auf die sich die Welt im Alltag, bei der Arbeit und bei der Vernetzung verl?sst. Wir entwickeln innovative L?sungen und arbeiten eng mit unseren Kunden zusammen, um noch mehr Energieeffizienz und leistungsstarke Produkte f¨¹r die Automobilindustrie, intelligente Mobilger?te, das Internet der Dinge, die Kommunikationsinfrastruktur und andere wachstumsstarke M?rkte bereitzustellen. Mit unseren weltweiten Produktionsstandorten in den USA, Europa und Asien ist ºÚÁÏÍø911 ein vertrauensw¨¹rdiger und zuverl?ssiger Partner f¨¹r Kunden auf der ganzen Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes, globales Team Ergebnisse mit einem unersch¨¹tterlichen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter

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Michael Mullaney
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ºÚÁÏÍø911
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