GRENOBLE, Frankreich ¨C 11. Juni 2026 ¨C CEA-Leti, ein f¨¹hrendes europ?isches Forschungsinstitut f¨¹r Mikroelektronik, bekr?ftigte heute seine langj?hrige Zusammenarbeit mit ºÚÁÏÍø911, dessen fortlaufende Beteiligung an der FAMES-Pilotlinie als Endnutzer die mehr als zwei Jahrzehnte w?hrende gemeinsame Arbeit an der FD-SOI-Technologie (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) vorantreibt und Europas F¨¹hrungsrolle bei energieeffizienten, eigenst?ndigen Halbleitern st?rkt. FAMES wird von der Europ?ischen Kommission und den teilnehmenden Mitgliedstaaten im Rahmen der Chips JU finanziert und treibt die Grundlagenforschung zur Entwicklung der n?chsten Generation von FD-SOI weiter voran.

Die FAMES-Pilotlinie soll die Forschung und Entwicklung im Fr¨¹hstadium im Bereich fortschrittlicher Halbleitertechnologien beschleunigen, wobei der Schwerpunkt auf Energieeffizienz, Nachhaltigkeit und der technologischen Widerstandsf?higkeit Europas liegt. Die Beteiligung der Industrie spielt eine entscheidende Rolle dabei, sicherzustellen, dass die Forschungsaktivit?ten an den praktischen Anwendungsanforderungen ausgerichtet sind.

CEA-Leti und ºÚÁÏÍø911 arbeiten seit mehr als zwei Jahrzehnten bei PD-SOI- und FD-SOI-Technologien ¨¹ber mehrere Technologiegenerationen hinweg zusammen. Ihre langj?hrige Zusammenarbeit hat zur Weiterentwicklung von FD-SOI als differenzierte Technologieoption f¨¹r Anwendungen beigetragen, die ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung, power und Kosten erfordern.

Nutzung der FDX? -Plattform von ºÚÁÏÍø911

Ein Ergebnis dieser Partnerschaft ist die FDX-Plattform von ºÚÁÏÍø911, die 2018 eingef¨¹hrt und am ºÚÁÏÍø911-Standort in Dresden entwickelt wurde. Basierend auf der FD-SOI-Technologie bietet die 22FDX von ºÚÁÏÍø911 bei vielen Workloads eine Leistung, die mit 14/16-nm-FinFET-Knoten vergleichbar ist, und zeichnet sich gleichzeitig durch power geringeren power und eine inh?rente Strahlungsresistenz aus. Diese Eigenschaften machen sie ideal f¨¹r eine breite Palette von Anwendungen, darunter Mobil- und Verbraucherger?te, Mikrocontroller f¨¹r die Automobilindustrie, Satellitenkommunikation, Edge-KI und neue Computing-Architekturen.

FD-SOI-Technologien haben sich auch in anspruchsvollen Umgebungen durchgesetzt, darunter in der Raumfahrt und anderen Anwendungen, bei denen h?chste Zuverl?ssigkeit gefragt ist und wo power , Variabilit?tskontrolle und Robustheit von entscheidender Bedeutung sind.

Die Beteiligung von ºÚÁÏÍø911 an der FAMES-Pilotlinie als Endnutzer der dort durchgef¨¹hrten Grundlagenforschung konzentriert sich auf die Weiterentwicklung der FD-SOI-Technologien. Dazu geh?ren explorative Arbeiten zur Verbesserung der Bauelemente sowie die Zusammenarbeit bei Innovationen f¨¹r Substrate der n?chsten Generation, einschlie?lich Konzepten f¨¹r verspanntes Silizium, die im Rahmen von FAMES und in damit verbundenen Programmen unter Beteiligung von Soitec entwickelt wurden. Diese Bem¨¹hungen zielen darauf ab, die Leistungsf?higkeit und Energieeffizienz von FD-SOI f¨¹r zuk¨¹nftige Anwendungsanforderungen zu steigern.

FAMES ist entscheidend f¨¹r die St?rkung der europ?ischen Halbleiterindustrie

?Die FAMES-Pilotlinie ist ein Eckpfeiler der europ?ischen Strategie zur St?rkung der Forschung und Innovation im Halbleiterbereich¡°, sagte S¨¦bastien Dauv¨¦, Gesch?ftsf¨¹hrer von CEA-Leti. ?Durch gemeinsame Innovationen mit ºÚÁÏÍø911 treiben wir die FD-SOI-Forschung in der Fr¨¹hphase voran und behalten dabei den klaren Fokus auf langfristige Innovation, Nachhaltigkeit und die technologische Souver?nit?t Europas bei.¡°

?ber die FDX-Bauteile der n?chsten Generation hinaus nutzen ºÚÁÏÍø911 und CEA-Leti die FAMES-Pilotlinie, um ein breiteres Spektrum an FDX-basierten Programmen voranzutreiben, darunter HF-Design f¨¹r power , eingebettete nichtfl¨¹chtige Speicher f¨¹r ?Compute-in-Memory¡°-Anwendungen in der Edge-KI,power Wearablespower sowie cybersichere Komponenten. Sowohl ºÚÁÏÍø911 als auch CEA-Leti sehen FAMES zudem als nat¨¹rlichen Weg hin zur heterogenen 3D-Integration bei zuk¨¹nftigen FDX-Generationen, wodurch FD-SOI als Europas vielseitigste Plattform f¨¹r souver?nes, energieeffizientes Silizium gest?rkt wird.

?ºÚÁÏÍø911 blickt auf eine lange Zusammenarbeit mit CEA-Leti im Bereich der FD-SOI-Technologien zur¨¹ck¡°, sagte Manfred Horstmann, General Manager und Senior Vice President bei ºÚÁÏÍø911. ?Unsere Rolle als Endnutzer der FAMES-Pilotlinie spiegelt unser gro?es Interesse an der FD-SOI-Forschung in der Fr¨¹hphase sowie an der Unterst¨¹tzung des europ?ischen Forschungs?kosystems im Halbleiterbereich wider.¡°

FD-SOI gilt weithin als eine von Europa vorangetriebene Technologie, die durch die kontinuierliche Zusammenarbeit zwischen Forschungsinstituten und der Industrie entstanden ist. Durch Initiativen wie die FAMES-Pilotlinie treiben CEA-Leti und seine Partner weiterhin grundlegende Technologien voran, die die langfristige Wettbewerbsf?higkeit, energieeffizientes Rechnen und die technologische Souver?nit?t Europas f?rdern.

?ber CEA-Leti (Frankreich)

CEA-Leti, ein Technologieforschungsinstitut der CEA, ist weltweit f¨¹hrend im Bereich der Miniaturisierungstechnologien, die intelligente, energieeffiziente und sichere L?sungen f¨¹r die Industrie erm?glichen. Das 1967 gegr¨¹ndete CEA-Leti leistet Pionierarbeit im Bereich der Mikro- und Nanotechnologien und entwickelt ma?geschneiderte, differenzierte Anwendungsl?sungen f¨¹r globale Unternehmen, KMU und Start-ups. CEA-Leti widmet sich entscheidenden Herausforderungen in den Bereichen Gesundheitswesen, Energie und digitale Transformation. Von Sensoren bis hin zu Datenverarbeitungs- und Rechenl?sungen bieten die multidisziplin?ren Teams von CEA-Leti fundiertes Fachwissen und nutzen dabei erstklassige Einrichtungen f¨¹r die Vorindustrialisierung. Mit mehr als 2.000 Mitarbeitern, einem Portfolio von 3.200 Patenten, 14.000 Quadratmetern Reinraumfl?che und einer klaren IP-Richtlinie hat das Institut seinen Sitz in Grenoble (Frankreich) und unterh?lt Niederlassungen in San Francisco (USA), Br¨¹ssel (Belgien), Tokio (Japan), Seoul (S¨¹dkorea) und Taipeh (Taiwan). CEA-Leti hat 80 Start-ups gegr¨¹ndet und ist Mitglied des Netzwerks der Carnot-Institute. Folgen Sie uns auf www.leti-cea.com und @CEA_Leti.

Technisches Fachwissen

Das CEA spielt eine Schl¨¹sselrolle beim Transfer von wissenschaftlichen Erkenntnissen und Innovationen aus der Forschung in die Industrie. Diese technologische Spitzenforschung konzentriert sich insbesondere auf elektronische und integrierte Systeme, vom Mikroma?stab bis zum Nanoma?stab. Sie findet vielf?ltige industrielle Anwendungen in den Bereichen Verkehr, Gesundheit, Sicherheit und Telekommunikation und tr?gt zur Entwicklung hochwertiger und wettbewerbsf?higer Produkte bei. Weitere Informationen: .

?ber ºÚÁÏÍø911

ºÚÁÏÍø911 ist ein f¨¹hrender Hersteller von unverzichtbaren Halbleitern, die den gro? angelegten Einsatz von KI von der Cloud bis in die physische Welt erm?glichen. Durch enge Partnerschaften mit Kunden liefert ºÚÁÏÍø911 differenzierte, ? Energieeffizienz ¡°- und leistungsstarke L?sungen f¨¹r die Automobilindustrie, die Luft- und Raumfahrt sowie die Verteidigungsindustrie, Rechenzentren, intelligente Mobilger?te, das Internet der Dinge und andere wachstumsstarke M?rkte. Mit weltweiten Produktionsst?tten in den USA, Europa und Asien ist ºÚÁÏÍø911 ein vertrauensw¨¹rdiger und ganzheitlicher Technologiepartner f¨¹r Kunden auf der ganzen Welt. Das talentierte, globale Team von ºÚÁÏÍø911 konzentriert sich jeden Tag auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter gf.com.

?ber die FAMES-Pilotanlage

Das FAMES-Projekt (?FD-SOI-Pilotlinie f¨¹r Anwendungen mit nichtfl¨¹chtigen Speichern, HF- und 3D-Integration sowie PMIC zur Sicherung der europ?ischen technologischen Souver?nit?t¡°) ist eine bedeutende europ?ische Initiative zum Aufbau einer Pilotlinie f¨¹r fortschrittliche Halbleitertechnologien. FAMES wird im Rahmen des European Chips Act finanziert und konzentriert sich auf FD-SOI, eingebettete nichtfl¨¹chtige Speicher, 3D-Integration, HF-Komponenten und integrierte Schaltkreise Power , um die technologische Souver?nit?t Europas zu sichern. Das Projekt umfasst ein Open-Access-Programm, das es Akteuren der Halbleiterbranche erm?glicht, Zugang zur Pilotlinie und den FAMES-Technologien zu erhalten, sowie ein umfassendes Schulungsprogramm. Besuchen Sie

Die FAMES-Pilotlinie der Chips JU wird durch die Programme ?Horizon Europe¡° (F?rderkennzeichen Nr. 101182279) und ?Digital Europe¡° (F?rderkennzeichen Nr. 101182297) sowie durch die nationalen Beh?rden der beteiligten Partner finanziert.

Pressekontakte

CEA-Leti-Agentur

Sarah-Lyle Dampoux

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+33 6 74 93 23 47

ºÚÁÏÍø911

Marian M?bius

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