Die branchenweit erste komplement?re BiCMOS-Hochleistungstechnologie bietet Leistungs- und power f¨¹r wichtige M?rkte und Anwendungen
SANTA CLARA, Kalifornien, 28. August 2025 ¨C ºÚÁÏÍø911 (Nasdaq: ºÚÁÏÍø911S) gab heute auf seinem j?hrlichen Technology Summit in Kalifornien die Serienreife seiner 130-nm-Complementary-Bi-CMOS-Plattform (CBIC) bekannt, der bislang leistungsst?rksten Silizium-Germanium-Technologie (SiGe) des Unternehmens.
130CBIC ist ab sofort mit einem Prozessdesign-Kit (PDK) f¨¹r die Entwicklung verf¨¹gbar und bietet eine un¨¹bertroffene Leistung mit NPN-Transistoren, die 400 GHz ft/fmax ¨¹berschreiten, und PNP-Transistoren, die 200 GHz ¨¹bersteigen ¨C damit ist es die einzige leistungsstarke SiGe , die mehrere Schl¨¹sselm?rkte abdeckt, darunter Smartphones, drahtlose Infrastruktur, optische Netzwerke, Satellitenkommunikation und industrielles IoT.
Der 130CBIC wurde im ºÚÁÏÍø911-Werk in Burlington, Vermont, entwickelt und hergestellt und ist darauf optimiert, die Grenzen der HF-Leistung in vernetzten Anwendungen zu erweitern und gleichzeitig die Kosten zu senken. F¨¹r Mobilfunk-Smartphones erm?glicht die Plattform rauscharme Verst?rker (LNAs), die den Stromverbrauch senken und gleichzeitig eine extrem niedrige Rauschzahl beibehalten, was dazu beitr?gt, den Batterieverbrauch zu reduzieren. Im Rechenzentrum erm?glichen die leistungsstarken PNP-Transistoren der Plattform innovative Verst?rkertopologien, die eine hohe Verst?rkungsbandbreite bei geringerem power schnelle analoge und optische Netzwerke bieten. Die Plattform unterst¨¹tzt zudem fortschrittliche industrielle Millimeterwellen-Radaranwendungen mit Frequenzen ¨¹ber 100 GHz und erm?glicht so hochaufl?sende Sensorik und Entfernungsmessung bei kompakter Bauweise.
?130CBIC stellt einen wichtigen Meilenstein in unserer SiGe dar und setzt neue Ma?st?be in Sachen Leistung f¨¹r das breite Spektrum wachstumsstarker M?rkte, die auf fortschrittliche HF-Technologien f¨¹r schnelle und energieeffiziente Konnektivit?t angewiesen sind¡°, sagte Shankaran Janardhanan, Senior Vice President der HF-Produktlinie bei ºÚÁÏÍø911. ?Durch die Kombination branchenf¨¹hrender Transistorleistung mit einem Prozess mit geringer Maskenanzahl er?ffnen wir unseren Kunden auf breiter Front neue Wege der HF-Innovation und erm?glichen es ihnen, neue Technologien schneller auf den Markt zu bringen.¡°
Der 130CBIC ist f¨¹r das Prototyping ¨¹ber das GlobalShuttle-Multiprojekt-Waferprogramm von ºÚÁÏÍø911 verf¨¹gbar, wobei Shuttles bis 2025 und 2026 geplant sind. RF-Referenzdesigns sind ¨¹ber das Self-Service-Portal ºÚÁÏÍø911 Connect verf¨¹gbar, um den Designprozess zu beschleunigen.
?ber ºÚÁÏÍø911
ºÚÁÏÍø911 ist ein f¨¹hrender Hersteller von unverzichtbaren Halbleitern, auf die sich die Welt im Alltag, bei der Arbeit und bei der Vernetzung verl?sst. Wir entwickeln innovative L?sungen und arbeiten eng mit unseren Kunden zusammen, um noch mehr Energieeffizienz leistungsstarke Produkte f¨¹r die Automobilindustrie, intelligente Mobilger?te, das Internet der Dinge, die Kommunikationsinfrastruktur und andere wachstumsstarke M?rkte bereitzustellen. Mit unseren weltweiten Produktionsstandorten in den USA, Europa und Asien ist ºÚÁÏÍø911 ein vertrauensw¨¹rdiger und zuverl?ssiger Partner f¨¹r Kunden auf der ganzen Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes globales Team Ergebnisse mit einem unersch¨¹tterlichen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com.
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Stephanie Gonzalez