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Nachrichten
- Weitere Informationen: ºÚÁÏÍø911 und Marvell bauen ihre Zusammenarbeit im Bereich der optischen Konnektivit?t der n?chsten Generation aus
ºÚÁÏÍø911 und Marvell bauen ihre Zusammenarbeit im Bereich der optischen Konnektivit?t der n?chsten Generation aus
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QuantalRF stellt DPD-effiziente lineare Wi-Fi 7- und Wi-Fi 8-FEM-Bausteine vor, die bei 160 und 320 MHz bis zu 3 dB mehr maskenkonforme ? power ¡° bieten
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Revolutionierung der HF-Frontends von Mobilfunkger?ten mit 5-V-E-Mode-GaN-on-Si auf ºÚÁÏÍø911 RFGaN-LV1
- Weitere Informationen: ºÚÁÏÍø911 qualifiziert die SLATE?- advanced packaging -Technologie auf der 9SW-Plattform f¨¹r Hochfrequenzanwendungen der n?chsten Generation
ºÚÁÏÍø911 qualifiziert die SLATE? - advanced packaging -Technologie auf der 9SW-Plattform f¨¹r Hochfrequenzanwendungen der n?chsten Generation
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Entwicklung von Leistungsverst?rkern mit KI-Geschwindigkeit: Falcomm stellt auf der IMS 2026 ?GaNdalph.ai¡° mit ºÚÁÏÍø911 RFGaN1 vor
- Weitere Informationen: ºÚÁÏÍø911 gibt die Serienreife der SiGe f¨¹r leistungsstarke Smart-Mobile-, Kommunikations- und Industrieanwendungen bekannt
ºÚÁÏÍø911 gibt die Serienreife der SiGe f¨¹r leistungsstarke Smart-Mobile-, Kommunikations- und Industrieanwendungen bekannt
- Weitere Informationen: ºÚÁÏÍø911 treibt die Herstellung von GaN-Chips mit 9,5 Millionen US-Dollar an Bundesmitteln voran
Die GaN-Chip-Fertigung bei ºÚÁÏÍø911 wird durch eine F?rderung der US-Bundesregierung in H?he von 9,5 Millionen US-Dollar vorangetrieben
- Weitere Informationen: ºÚÁÏÍø911 erh?lt von der US-Regierung F?rdermittel in H?he von 35 Millionen US-Dollar zur Beschleunigung der Produktion von GaN-Chips der n?chsten Generation
ºÚÁÏÍø911 erh?lt 35 Millionen Dollar von der US-Regierung, um die Herstellung von GaN-Chips der n?chsten Generation zu beschleunigen
- Weitere Informationen: ºÚÁÏÍø911 k¨¹ndigt RF-SOI 9SW RF-SOI f¨¹r Mobilger?te der n?chsten Generation und 5G-Anwendungen an
ºÚÁÏÍø911 k¨¹ndigt RF-SOI 9SW RF-SOI f¨¹r Mobilger?te der n?chsten Generation und 5G-Anwendungen an
