In Zusammenarbeit mit der US-Regierung n?hert sich das Halbleiterwerk von ºÚÁÏÍø911 in Vermont weiter der Serienfertigung von Galliumnitrid-Chips der n?chsten Generation f¨¹r den Einsatz in der Luft- und Raumfahrt sowie der Verteidigungsindustrie, der Mobilfunkkommunikation, dem industriellen Internet der Dinge und der Automobilindustrie
ESSEX JUNCTION, VT, 18. Oktober 2023 ¡ª ºÚÁÏÍø911 (Nasdaq: ºÚÁÏÍø911S) (ºÚÁÏÍø911) hat von der US-Regierung F?rdermittel in H?he von 35 Millionen US-Dollar erhalten, um die Fertigung der einzigartigen Galliumnitrid (GaN)-auf-Silizium-Halbleiter von ºÚÁÏÍø911 in seinem Werk in Essex Junction, Vermont, voranzutreiben. Diese F?rderung bringt ºÚÁÏÍø911 der Gro?serienfertigung von GaN-Chips n?her, die sich durch ihre einzigartige F?higkeit auszeichnen, hohe Spannungen und Temperaturen zu bew?ltigen. Diese Chips sind darauf ausgelegt, bahnbrechende Leistungs- und Effizienzsteigerungen in der 5G- und 6G-Mobilfunkkommunikation f¨¹r Infrastruktur und Endger?te, im automobilen und industriellen Internet der Dinge (IoT) sowie power und anderen kritischen Infrastrukturen zu erm?glichen.
Mit den neuen Mitteln in H?he von 35 Millionen US-Dollar, die vom Trusted Access Program Office (TAPO) des Verteidigungsministeriums vergeben wurden, plant ºÚÁÏÍø911 den Kauf zus?tzlicher Werkzeuge, um die Entwicklungs- und Prototyping-F?higkeiten zu erweitern und der Herstellung von 200-mm-GaN-Halbleitern auf Siliziumbasis n?her zu kommen. Als Teil der Investition plant ºÚÁÏÍø911 die Implementierung neuer F?higkeiten, um die Abh?ngigkeit von Gallium in der Lieferkette f¨¹r ºÚÁÏÍø911 und seine Kunden zu verringern und gleichzeitig die Entwicklungsgeschwindigkeit, die Versorgungssicherheit und die Wettbewerbsf?higkeit von in den USA hergestellten GaN-Chips zu verbessern.
Die Finanzierung baut auf einer jahrelangen Zusammenarbeit mit der US-Regierung auf - einschlie?lich einer Unterst¨¹tzung in H?he von 40 Millionen US-Dollar von 2020 bis 2022 -, die das Talent des ºÚÁÏÍø911-Teams in Vermont und seine Erfahrung in der 200-mm-Halbleiterfertigung nutzt und auf die GaN-on-Silicon-Fertigung anwendet. 200 mm ist der Stand der Technik f¨¹r GaN-Chiptechnologie.
"Vermont ist f¨¹hrend in der Halbleiterinnovation. Diese Bundesfinanzierung ist eine willkommene Nachricht und wird die Position unseres Bundesstaates als Vorreiter bei der Herstellung von Chips der n?chsten Generation festigen", sagte Senator Peter Welch. "Es ist wichtig, dass wir Investitionen in diese Industrie hier in Vermont und in den USA unterst¨¹tzen - sowohl f¨¹r unser lokales Wirtschaftswachstum als auch f¨¹r unsere nationale Sicherheit. Ich freue mich darauf, im Senat weiterhin f¨¹r unsere heimischen Halbleiter- und Chip-Hersteller zu k?mpfen."
"Diese strategische Investition st?rkt weiterhin unser heimisches ?kosystem kritischer kommerzieller Technologien mit doppeltem Verwendungszweck und stellt sicher, dass sie f¨¹r die Nutzung durch das Verteidigungsministerium leicht verf¨¹gbar und sicher sind. In Zusammenarbeit mit wichtigen Partnern gestalten wir proaktiv die Zukunft unserer Verteidigungssysteme", sagte Christopher J. Lowman, Assistant Secretary of Defense for Sustainment.
?GaN-on-Silicon ist eine ideale Technologie f¨¹r Hochleistungs-HF-, power und Steuerungsanwendungen in aufstrebenden M?rkten und spielt eine wichtige Rolle f¨¹r die 6G-Mobilfunkkommunikation, das industrielle IoT und Elektrofahrzeuge¡°, sagte Dr. Thomas Caulfield, Pr?sident und CEO von ºÚÁÏÍø911. ?ºÚÁÏÍø911 unterh?lt eine langj?hrige Partnerschaft mit der US-Regierung, und diese F?rderung ist entscheidend, um GaN-on-Silicon-Chips der Serienproduktion n?her zu bringen. Diese Chips werden es unseren Kunden erm?glichen, mutige neue Designs zu realisieren, die die Grenzen der Energieeffizienz und Leistung kritischer Technologien, auf die wir uns t?glich verlassen, erweitern.¡°
Das ºÚÁÏÍø911-Werk in Essex Junction, Vermont, in der N?he von Burlington, geh?rte zu den ersten gro?en Halbleiterfertigungs Produktionsstandorte n in den Vereinigten Staaten. Heute sind rund 1.800 ºÚÁÏÍø911-Mitarbeiter an diesem Standort besch?ftigt. Die auf den differenzierten Technologien von ºÚÁÏÍø911 basierenden, von ºÚÁÏÍø911 hergestellten Chips kommen weltweit in Smartphones, Automobilen und Anwendungen der Kommunikationsinfrastruktur zum Einsatz. Der Standort ist ein von der DMEA akkreditiertes ?Trusted Foundry ¡° und fertigt in Zusammenarbeit mit dem US-Verteidigungsministerium sichere Chips f¨¹r den Einsatz in einigen der sensibelsten Luftfahrt- und Verteidigungssysteme des Landes.
?ber ºÚÁÏÍø911
ºÚÁÏÍø911 ist einer der weltweit f¨¹hrenden Halbleiterhersteller. ºÚÁÏÍø911 definiert Innovation und Halbleiterfertigung neu, indem es funktionsreiche Prozesstechnologiel?sungen entwickelt und bereitstellt, die eine f¨¹hrende Leistung in allgegenw?rtigen, wachstumsstarken M?rkten bieten. ºÚÁÏÍø911 bietet eine einzigartige Mischung aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen. Mit einer talentierten und vielseitigen Belegschaft und einer Produktionsbasis, die sich ¨¹ber die USA, Europa und Asien erstreckt, ist ºÚÁÏÍø911 eine vertrauensw¨¹rdige Technologiequelle f¨¹r seine weltweiten Kunden. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com.
?ºÚÁÏÍø911Inc., ºÚÁÏÍø911, ºÚÁÏÍø911, die ºÚÁÏÍø911-Logos und andere ºÚÁÏÍø911-Zeichen sind Marken von ºÚÁÏÍø911 Inc. oder deren Tochtergesellschaften. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.
Zukunftsorientierte Informationen
Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen enthalten, die mit Risiken und Ungewissheiten verbunden sind. Die Leser werden davor gewarnt, sich auf diese zukunftsgerichteten Aussagen zu verlassen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen beziehen sich nur auf das Datum dieser Pressemitteilung. ºÚÁÏÍø911 ist nicht verpflichtet, diese zukunftsgerichteten Aussagen zu aktualisieren, um sie an Ereignisse oder Umst?nde nach dem Datum dieser Pressemitteilung oder an die tats?chlichen Ergebnisse anzupassen, sofern dies nicht gesetzlich vorgeschrieben ist.
Medienkontakte:
Michael Mullaney
[email protected]
